解决办法之一: 使用单源前驱体( single-source _ precursors)而不是多源前 驱体( multi-source precursors来沉积复杂薄膜。 单源前驱体:是。种含有最终薄膜所需(金属)元素以及薄 所需元素比的前驱体。 当待江积的薄膜是—元且由一种金属和一种非金属组成时, 该办法非常成功。例如 金属硫化物znS,CdS;金属氮化物GaN, BN, GaAs 金属磷化物,金属碳化物,金属硅化物以及金属氧化物等。 存在的问题: 当膜层必须含有两种或两λ 上的金属时,当源前驱体的 子量可鲜层元前体的分子量高,从而降低挥发性导 沉积速率降低或不能沉积膜层。解决办法之一： 使用单源前驱体（single-source precursors）而不是多源前 驱体(multi-source precursors)来沉积复杂薄膜。 单源前驱体： 是一种含有最终薄膜所需（金属）元素以及薄 膜所需元素比的前驱体。 当待沉积的薄膜是二元且由一种金属和一种非金属组成时， 该办法非常成功。例如， 金属硫化物 ZnS, CdS;金属氮化物 GaN,BN,GaAs 金属磷化物，金属碳化物，金属硅化物以及金属氧化物等。 存在的问题： 当膜层必须含有两种或两种以上的金属时，当源前驱体的 分子量可能比多元前驱体的分子量高，从而降低挥发性，导 致沉积速率降低或不能沉积膜层