(Shipley CD-26,MF-321,0CG945)等。需要注意的是：所有的这些 显影液都会刻蚀铝显影时间要适当，时间长了，会造成过显影，线条 宽度变窄、边缘坡度大、不整齐，腐蚀时容易钻蚀：显影时间短，容 易显不干净，留有底膜。显影后一定要把残留显影液、光刻胶、底膜 等漂洗干净，否则腐蚀时会出现腐蚀深度不均匀。采用等离子去胶机 处理底膜，保证显影后没有被光刻胶覆盖的区域表面干净。 6、检查 显影后在显微镜下检查显影质量，除了检查上述内容外，对于二 次光刻氧化层还要看套刻是否准确，否则漂掉光刻胶，重新涂胶光刻。 7、后烘 温度过高，会使胶变形、边缘不陡直，造成腐蚀后线条宽度变窄、 边缘不平直。 8、腐蚀 腐蚀台面深度：器件类型不同，腐蚀深度要求不同。 腐蚀氧化层：显微镜观察呈灰白色，条形边缘要平直，开孔条宽 在台面宽度之中。 9、去胶 去胶后也许仍有光刻胶底膜或胶粒，必须完全清除干净。如果一 次光刻后处理不到位，会使后面氧化层薄膜淀积附着性变差，会造成 解理时起皮；如果二次光刻后处理不到位，会使后面P面TiPtAu薄 膜淀积附着性变差，同样会造成解理时起皮、欧姆接触电阻变大。使 用等离子去胶必须通过实验控制好能量，否则会破坏外延材料表面。(Shipley CD-26, MF-321, OCG 945)等。需要注意的是：所有的这些 显影液都会刻蚀铝显影时间要适当，时间长了，会造成过显影，线条 宽度变窄、边缘坡度大、不整齐，腐蚀时容易钻蚀；显影时间短，容 易显不干净，留有底膜。显影后一定要把残留显影液、光刻胶、底膜 等漂洗干净，否则腐蚀时会出现腐蚀深度不均匀。采用等离子去胶机 处理底膜，保证显影后没有被光刻胶覆盖的区域表面干净。 6、检查 显影后在显微镜下检查显影质量，除了检查上述内容外，对于二 次光刻氧化层还要看套刻是否准确，否则漂掉光刻胶，重新涂胶光刻。 7、后烘 温度过高，会使胶变形、边缘不陡直，造成腐蚀后线条宽度变窄、 边缘不平直。 8、腐蚀 腐蚀台面深度：器件类型不同，腐蚀深度要求不同。 腐蚀氧化层：显微镜观察呈灰白色，条形边缘要平直，开孔条宽 在台面宽度之中。 9、去胶 去胶后也许仍有光刻胶底膜或胶粒，必须完全清除干净。如果一 次光刻后处理不到位，会使后面氧化层薄膜淀积附着性变差，会造成 解理时起皮；如果二次光刻后处理不到位，会使后面 P 面 TiPtAu 薄 膜淀积附着性变差,同样会造成解理时起皮、欧姆接触电阻变大。使 用等离子去胶必须通过实验控制好能量，否则会破坏外延材料表面