10、对版 一次光刻对版时要注意对准晶向，保证外延片的切边与掩膜版上 的竖线条垂直，即保证管芯解理时正好解理110自然解理面。如果 晶向未对准，会造成解理困难、无法形成很好的谐振腔、管芯特性差。 二次光刻对版时要保证与一次光刻的图形套合准确，保证氧化层 覆盖好条形台面的边缘，以防电流从条形下面流入，造成分流，使工 作电流增加、可靠性变差。设计光刻版时，加入对版标记，可以加快 对版速度、保证套合准确。 11、光刻版保养 光刻版不能有划痕和污物，光刻版的损伤会直接造成图形的不完 整、露光等，对片子成品率造成直接影响。保管时注意不要被划伤， 每次对版前必须彻底清洗，使用脱脂棉蘸少许洗涤液在去离子水下一 边冲洗一边轻轻顺线条擦拭版表面，最后用大量的去离子水冲洗干 净。 三、实验设备 实验设备：匀胶机、光刻机、烘烤机、划片机、四探针仪等。 实验材料：硅片、光刻胶、光刻掩膜板。 四、实验步骤 步骤1：硅片前烘去除水份，80摄氏度保温10分钟： 步骤2：用旋涂工艺涂上光刻胶： 匀胶机使用方法 1.将设备电源和真空泵电源打开。 10、对版 一次光刻对版时要注意对准晶向，保证外延片的切边与掩膜版上 的竖线条垂直 ，即保证管芯解理时正好解理 110 自然解理面。如果 晶向未对准，会造成解理困难、无法形成很好的谐振腔、管芯特性差。 二次光刻对版时要保证与一次光刻的图形套合准确，保证氧化层 覆盖好条形台面的边缘，以防电流从条形下面流入，造成分流，使工 作电流增加、可靠性变差。设计光刻版时，加入对版标记，可以加快 对版速度、保证套合准确。 11、光刻版保养 光刻版不能有划痕和污物，光刻版的损伤会直接造成图形的不完 整、露光等，对片子成品率造成直接影响。保管时注意不要被划伤， 每次对版前必须彻底清洗，使用脱脂棉蘸少许洗涤液在去离子水下一 边冲洗一边轻轻顺线条擦拭版表面，最后用大量的去离子水冲洗干 净 。 三、实验设备 实验设备：匀胶机、光刻机、烘烤机、划片机、四探针仪等。 实验材料：硅片、光刻胶、光刻掩膜板。 四、实验步骤 步骤 1：硅片前烘去除水份, 80 摄氏度保温 10 分钟； 步骤 2：用旋涂工艺涂上光刻胶； 匀胶机使用方法 1. 将设备电源和真空泵电源打开