·734· 工程科学学报，第37卷，第6期 20m 20m 20m 1 mm 图3无电镀镍浸金处理电路板试样经不同时间浸泡后表面扫描电镜形貌.(a)0h:(b)24h:(c)48h:(d)96h Fig.3 SEM morphologies of PCB-ENIG immersed for different periods:(a)0h:(b)24h:(c)48h;(d)96 h 300um 20 Hm 图4无电镀镍浸金处理电路板试样局部放大图.(a)图3(d)破损区域放大图：(b)图4(a)局部放大图 Fig.4 Local amplification of PCB-ENIG:(a)amplification of broken regions in Fig.3(d):(b)local amplification of Fig.4(a) 镀镍浸金处理电路板试样表面腐蚀产物结晶区域进行 Suo X射线光电子能谱分析，结果如图6所示.图6(a)为 2.3腐蚀电化学规律 C元素的分峰拟合图.从图中可以看出，腐蚀产物中 图7中无电镀镍浸金处理电路板试样浸泡不同周 Cu元素主要以Cu,S、Cu,0、CuO和CuS0,成分存在，且 期后的电化学阻抗谱演变规律显示，浸泡前12h, Cu,S所占的比例要高很多，与能谱仪元素分析结果相 Nyquist图由两个容抗弧组成，高频容抗弧反映了表面 符.图6(b)显示N元素特征峰几乎完全被背景峰覆 膜镀层的信息，而低频容抗弧则反映了界面反应信息 盖，表明Ni的腐蚀产物并不是主要组分.此外，S和0 由于无电镀镍浸金处理电路板样品镀金层只有0.02 元素分峰拟合结果（图6(c)和(d))也进一步验证了 um,不可避免地存在微孔与表面缺陷（镀金层厚度达 氧/硫化物和硫酸盐的存在.特别地，由于Cu,S和CS 到5μm才能完全消除微孔存在)☒，导致这些区域的 峰位置太近，分别为932.6eV和932.3eVo,无法在 中间N过渡层甚至基底与电解质溶液直接接触，故采 Cu2p谱中加以区分，而在S2p谱中得以确认为Cu, 用图8(a)所示等效电路，其中R,代表溶液电阻，C,代工程科学学报，第 37 卷，第 6 期 图 3 无电镀镍浸金处理电路板试样经不同时间浸泡后表面扫描电镜形貌． (a) 0 h; (b) 24 h; (c) 48 h; (d) 96 h Fig． 3 SEM morphologies of PCB--ENIG immersed for different periods: (a) 0 h; (b) 24 h; (c) 48 h; (d) 96 h 图 4 无电镀镍浸金处理电路板试样局部放大图． (a)图 3(d)破损区域放大图;(b)图 4(a)局部放大图 Fig． 4 Local amplification of PCB--ENIG: (a) amplification of broken regions in Fig． 3(d); (b) local amplification of Fig． 4(a) 镀镍浸金处理电路板试样表面腐蚀产物结晶区域进行 X 射线光电子能谱分析，结果如图 6 所示． 图 6( a)为 Cu 元素的分峰拟合图． 从图中可以看出，腐蚀产物中 Cu 元素主要以 Cu2 S、Cu2O、CuO 和 CuSO4成分存在，且 Cu2 S 所占的比例要高很多，与能谱仪元素分析结果相 符． 图 6(b)显示 Ni 元素特征峰几乎完全被背景峰覆 盖，表明 Ni 的腐蚀产物并不是主要组分． 此外，S 和 O 元素分峰拟合结果(图 6( c)和( d))也进一步验证了 氧/硫化物和硫酸盐的存在． 特别地，由于 Cu2 S 和 CuS 峰位置太近，分别为 932. 6 eV 和 932. 3 eV［10］，无法在 Cu 2p 谱中加以区分，而在 S 2p 谱中得以确认为 Cu2 S ［11］． 2. 3 腐蚀电化学规律 图 7 中无电镀镍浸金处理电路板试样浸泡不同周 期后的 电 化 学 阻 抗 谱 演 变 规 律 显 示，浸 泡 前 12 h， Nyquist 图由两个容抗弧组成，高频容抗弧反映了表面 膜镀层的信息，而低频容抗弧则反映了界面反应信息． 由于无电镀镍浸金处理电路板样品镀金层只有 0. 02 μm，不可避免地存在微孔与表面缺陷(镀金层厚度达 到 5 μm 才能完全消除微孔存在) ［12］，导致这些区域的 中间 Ni 过渡层甚至基底与电解质溶液直接接触，故采 用图 8(a)所示等效电路，其中 Rs代表溶液电阻，Cf代 ·734·