丁康康等：无电镀镍浸金处理电路板在NHSO,溶液中的腐蚀电化学行为与失效机制 ·735· (b) 20μm d e 图5无电镀镍浸金处理电路板破损处截面元素分布面扫结果.(a)电镜原图：(b)Cu:(c)Ni:(d)O:(c)S Fig.5 Element distribution mapping results of the section at the broken region:(a)SEM image:(b)Cu:(c)Ni;(d)O:(e)S (a Cu,S Cuo Cu,0 928 930 932934 936 938 840 850 860870 880 890 结合能/eV 结合能eV (c) d Cu,S S02 164166168170 172174 526528530532534536538 结合能/eV 结合能eV 图6无电镀镍浸金处理电路板表面腐蚀产物(168h)X射线光电子能谱分峰拟合.(a)Cu2p:(b)Ni2p(c)S2p:(d)01s Fig.6 XPS-peak-fitting of surface corrosion products:(a)Cu 2p:(b)Ni 2p (c)S 2p:(d)0 1s 表试样表面金属镀层电容，R,则代表微孔或缺陷内溶Nyquist图也由两个容抗弧蜕化为一个容抗弧，故采用 液电阻或（和）腐蚀产物电阻，C和R.则分别代表微 图8(b)所示等效电路进行拟合，此时C代表完整表面 孔内金属界面的双电层电容和电荷转移电阻.浸泡时 与破损表面的电容总和，即C嚯=(1-r)C-+ 间达到24h时，无电镀镍浸金处理电路板表面开始产 C-,其中r为破损面积分数.当浸泡时间进一步延 生较多裂纹（图3(b)),为反应活性粒子提供了更多 长时，R反而大幅提升，这可能是由于伴随着裂纹扩 的传输通道，导致中间Ni过渡层乃至Cu基底加速腐 展、镀层鼓泡与脱落进程的发展，C山基底更多地参与 蚀，R达到极小值（表3）.由图7可以看到，此时 电化学反应，并逐渐成为电极反应的主体.一方面，C山丁康康等: 无电镀镍浸金处理电路板在 NaHSO3溶液中的腐蚀电化学行为与失效机制 图 5 无电镀镍浸金处理电路板破损处截面元素分布面扫结果． (a)电镜原图; (b) Cu; (c) Ni; (d) O; (e) S Fig． 5 Element distribution mapping results of the section at the broken region: (a) SEM image; (b) Cu; (c) Ni; (d) O; (e) S 图 6 无电镀镍浸金处理电路板表面腐蚀产物(168 h) X 射线光电子能谱分峰拟合． (a) Cu 2p; (b) Ni 2p (c) S 2p; (d) O 1s Fig． 6 XPS-peak-fitting of surface corrosion products: (a) Cu 2p; (b) Ni 2p (c) S 2p; (d) O 1s 表试样表面金属镀层电容，Rf则代表微孔或缺陷内溶 液电阻或(和) 腐蚀产物电阻，Cdl和 Rct则分别代表微 孔内金属界面的双电层电容和电荷转移电阻． 浸泡时 间达到 24 h 时，无电镀镍浸金处理电路板表面开始产 生较多裂纹(图 3( b))，为反应活性粒子提供了更多 的传输通道，导致中间 Ni 过渡层乃至 Cu 基底加速腐 蚀，Rct达 到 极 小 值 ( 表 3 )． 由 图 7 可 以 看 到，此 时 Nyquist 图也由两个容抗弧蜕化为一个容抗弧，故采用 图 8(b)所示等效电路进行拟合，此时 C 代表完整表面 与破损 表 面 的 电 容 总 和，即 CPE = ( 1 － r) CPE － dl + rCPE － f，其中 r 为破损面积分数． 当浸泡时间进一步延 长时，Rct反而大幅提升． 这可能是由于伴随着裂纹扩 展、镀层鼓泡与脱落进程的发展，Cu 基底更多地参与 电化学反应，并逐渐成为电极反应的主体． 一方面，Cu ·735·