三晶体生长理论基础 晶体生长的方式 2晶体形成的热力学条件 3晶体生长的三个阶段 4均匀成核,非均匀成核 5均匀成核过程中体系自由能随晶胚半径的变化关系分析;图3-2--P39,各种晶胚 的特点 6硅储单晶的生长方法 7直拉法生长单晶的工艺步骤p63 结晶过程中的结晶驱动力和溶解驱动力 结晶驱动力:结晶通常在恒温恒压下进行,相变向自由能减小的方向进行,若体积自由 能大于表面能,就是结晶驱动力,若相反,就是熔解驱动力 晶体的外形从能量的角度:晶体的平衡形状是总界面能最小的形状。 试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。 什么叫临界晶核?它的物理意义及与过冷度的定量关系如何? 形核为什么需要形核功?均匀形核与非均匀形核形核功有何差别 四、硅锗晶体中的杂质和缺陷 1硅锗中杂质的分类 2杂质对材料性能的影响 3直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法 4位错对材料性能的影响 5位错对器件的影响 五、硅外延生长 ◆名词解释 同质外延异质外延直接外延间接外延,正外延,反外延,自掺杂,外掺杂 ◆外延不同的分类方法以及每种分类所包括的种类 硅气相外延原料 硅气相外延分类 用SCL4外延硅的原理以及影响硅外延生长的因素 抑制自掺杂的途径? 如何防止外延层的夹层? 硅的异质外延有哪两种 ◆在SOS技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾,如何解决? SOI材料的制备方法有哪些?各自是如何实现的? 六、三五族化合物半导体 ◆什么是直接跃迁型能带什么是间接跃迁型能带?硅储属于什么类型,砷化镓属于什 么类型?三.晶体生长理论基础 1 晶体生长的方式 2 晶体形成的热力学条件 3 晶体生长的三个阶段 4 均匀成核，非均匀成核 5 均匀成核过程中体系自由能随晶胚半径的变化关系分析；图 3－2－－P39，各种晶胚 的特点 6 硅锗单晶的生长方法 7 直拉法生长单晶的工艺步骤 p63 8 结晶过程中的结晶驱动力和溶解驱动力 结晶驱动力：结晶通常在恒温恒压下进行，相变向自由能减小的方向进行，若体积自由 能大于表面能，就是结晶驱动力，若相反，就是熔解驱动力 晶体的外形 从能量的角度：晶体的平衡形状是总界面能最小的形状。  试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。  什么叫临界晶核？它的物理意义及与过冷度的定量关系如何？  形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀形核形核功有何差别？ 四、硅锗晶体中的杂质和缺陷 1 硅锗中杂质的分类 2 杂质对材料性能的影响 3 直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法 4 位错对材料性能的影响 5 位错对器件的影响 五、 硅外延生长  名词解释 同质外延,异质外延,直接外延,间接外延，正外延，反外延，自掺杂，外掺杂  外延不同的分类方法以及每种分类所包括的种类  硅气相外延原料  硅气相外延分类  用 SiCL4 外延硅的原理以及影响硅外延生长的因素  抑制自掺杂的途径？  如何防止外延层的夹层？  硅的异质外延有哪两种  在 SOS 技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何解决？ SOI 材料的制备方法有哪些？各自是如何实现的？ 六、 三五族化合物半导体  什么是直接跃迁型能带,什么是间接跃迁型能带?硅锗属于什么类型,砷化镓属于什 么类型?