sino nsin 1.3.14a) {=n 2sin0。 1.3.14b) 并且，因偏光而导致的差异，在临界角附近的低角掠入射情况下，对式1.3.14)影响很 小。这样，反射率 E 和透射率昌都将随0，及Q面变化，在忽略样品吸收的情况 如果8。<9，日成为纯虚数，故反射率后 =1,即发生全反射.当0。=0.时，0= E=1 0 =2,即入射波反射波同位相，折射波的振幅为入射波的2倍。当0。=0时， 层=-1虎=0，入射波与反射波位相相反面相消，襄逝波也酒失。 在考虑到样品对X射线吸收的情汉下，根据式13.10，可求得层随受的变化。 如图1.11所示。综合图1.10和图1.11可以看到，在全反射条件下，对表面、界面的结构分 园缘 员 0特精 图1.11在物质表面处X射线的反射率1EmE。户 随0.0.的变化.0。为掠射角，0.为临界角，AB、CDE 为分别对应B6=0,0.01,0.04,0.08,0.14的曲线m 析以至荧光分析是极为有效的，对来自薄膜衬底的散射可以大大减弱。还可以根据式 1.3.8)和1.3.14)求得 E. E。 随0/0.的变化： h+会h-D过 4.3.15) 其中 ·11·Ｅｍ Ｅ０ ＝ｓｉｎθ０ －ｎｓｉｎθ ｓｉｎθ０ ＋ｎｓｉｎθ （１３１４ａ） Ｅ Ｅ０ ＝ ２ｓｉｎθ０ ｓｉｎθ０ ＋ｎｓｉｎθ （１３１４ｂ） 并且，因偏光而导致的差异，在临界角附近的低角掠入射情况下，对式（１３１４）影响很 小。这样，反射率 Ｅｍ Ｅ０ ２ 和透射率 Ｅ Ｅ０ ２ 都将随θ０ 及θｃ 而变化。在忽略样品吸收的情况 下，如果θ０ ＜θｃ，θ成为纯虚数，故反射率 Ｅｍ Ｅ０ ２ ＝１，即发生全反射。当θ０ ＝θｃ 时，θ＝ ０，Ｅｍ Ｅ０ ＝１，Ｅ Ｅ０ ＝２，即入射波反射波同位相，折射波的振幅为入射波的２倍。当θ０ ＝０时， Ｅｍ Ｅ０ ＝－１，Ｅ Ｅ０ ＝０，入射波与反射波位相相反而相消，衰逝波也消失。 在考虑到样品对Ｘ射线吸收的情况下，根据式（１３１４），可求得 Ｅ Ｅ０ ２ 随θ０ θｃ 的变化。 如图１１１所示。综合图１１０和图１１１可以看到，在全反射条件下，对表面、界面的结构分 园 员 反 园援缘 射 率 θ燥辕θ糟 月 悦 阅 粤 耘 园援缘 员 员援缘 图１１１ 在物质表面处Ｘ射线的反射率｜Ｅｍ／Ｅ０｜２ 随θ０／θｃ 的变化。θ０ 为掠射角，θｃ 为临界角，Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ 为分别对应β／δ＝０，００１，００４，００８，０１４的曲线［１７］ 析以至荧光分析是极为有效的，对来自薄膜衬底的散射可以大大减弱。还可以根据式 （１３８）和（１３１４）求得 Ｅｍ Ｅ０ ２ 随θ０?θｃ 的变化： Ｅｍ Ｅ０ ２ ＝ ｈ－θ０ θｃ 槡２（ｈ－１） １ ２ ｈ＋ θ０ θｃ 槡２（ｈ－１） １ ２ （１３１５） 其中 · １１ ·