4# 320 100 5# 320 120 1.2测试与表征 使用SEM(Model S.4800,Hitachi)对材料微观形貌用进行分析。使用FT-IR(Nicolet380)和 XRD(Philips X Pert MPD Pro)对材料基团结构进行分析。使用Raman spectroscopy测试表征TiO, 的晶型结构，氧化石墨烯和GO-TiO2复合材料的表面碳原子排列及缺陷程度，扫描范围为0-2000 cm'。使用UV-vis对材料的光学性能进行分析。使用TGA分析复合材料的热稳定性，在氮气气氛下 升温速率为10℃min,从35℃到800℃。 2结果与讨论 2.1G0-Ti02复合材料的形貌分析 图2为不同钛酸四丁酯含量的GO-TiO2复合材料的SEM图像。从图2中看原始氧化石墨烯 片层表面光滑，边缘存在褶皱和卷曲，随着钛酸四丁酯的加入，出现共处物质，同时随着钛酸四 丁酯含量的增加，块体呈现先增大后减小的趋势，并且出现一定程度的困聚。说明随着钛酸四丁酯 含量的增加，块体含量增加，块体体积增大，表面TO2颗粒增如，但过量的钛酸四丁酯的加入导 致复合材料表面出现TO2颗粒团聚的现象。其中复合材料4#中块体体积较大，对复合材料4#中的 块体进行EDX分析。如图2(g)、(h)所示，块体上C、公O元素分布均匀，表面为Ti、O原子， 中下层为C,说明复合材料4#中的块体表面TiO2颗粒分均匀。复合材料中未见裸露的GO片层， 几乎被TiO2颗粒完全覆盖。这是由于GO片层间含COO和-OH基团等官能团，经超声作用后 部分片层被剥离开，有利于T+以氢键和静电吸附编鸡GO片层表面的含氧官能团结合，丰富的 四价离子促进TO,纳米晶体的成核和增长，并以这≤拿能团为位点进一步原位水解生成T-0.C键 使TiO2均匀的生长在G0片层上。 录用稿件，4# 320 100 5# 320 120 1.2 测试与表征 使用 SEM（Model S4800，Hitachi）对材料微观形貌用进行分析。使用 FT-IR（Nicolet 380）和 XRD（Philips X Pert MPD Pro）对材料基团结构进行分析。使用 Raman spectroscopy 测试表征 TiO2 的晶型结构，氧化石墨烯和 GO-TiO2复合材料的表面碳原子排列及缺陷程度，扫描范围为 0-2000 cm-1。使用 UV-vis 对材料的光学性能进行分析。使用 TGA 分析复合材料的热稳定性，在氮气气氛下 升温速率为 10 ·min ℃ -1，从 35 ℃到 800 ℃。 2 结果与讨论 2.1 GO-TiO2复合材料的形貌分析 图 2 为不同钛酸四丁酯含量的 GO-TiO2复合材料的 SEM 图像。从图 2 中看出，原始氧化石墨烯 片层表面光滑，边缘存在褶皱和卷曲，随着钛酸四丁酯的加入，出现了块状物质，同时随着钛酸四 丁酯含量的增加，块体呈现先增大后减小的趋势，并且出现一定程度的团聚。说明随着钛酸四丁酯 含量的增加，块体含量增加，块体体积增大，表面 TiO2颗粒增加，但过量的钛酸四丁酯的加入导 致复合材料表面出现 TiO2颗粒团聚的现象。其中复合材料 4#中块体体积较大，对复合材料 4#中的 块体进行 EDX 分析。如图 2（g）、（h）所示，块体上 C、Ti、O 元素分布均匀，表面为 Ti、O 原子， 中下层为 C，说明复合材料 4#中的块体表面 TiO2颗粒分布均匀。复合材料中未见裸露的 GO 片层， 几乎被 TiO2颗粒完全覆盖。这是由于 GO 片层间含有−COOH 和−OH 基团等官能团，经超声作用后 部分片层被剥离开，有利于 Ti4+以氢键和静电吸附方式与 GO 片层表面的含氧官能团结合，丰富的 四价离子促进 TiO2纳米晶体的成核和增长，并以这些官能团为位点进一步原位水解生成 Ti-O-C 键 使 TiO2均匀的生长在 GO 片层上。 录用稿件，非最终出版稿