根据外延生长方法 直接外延 是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长 的材料原子获得能量,直接迁移沉积在衬底表 面上完成外延生长如真空淀积,溅射,升华等 间接外延 是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外 延层,广义上称为化学气相淀积 (chemical vapor deposition, CVD) cvD生长的薄膜未必是单晶,所以严格讲只有生长的薄膜是单晶的CVD才是外延生长。 CVD设备简单,生长参数容易控制,重复性好, 是目前硅外延生长的主要方法 33 根据外延生长方法： 直接外延 间接外延 是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长 的材料原子获得能量，直接迁移沉积在衬底表 面上完成外延生长.如真空淀积，溅射，升华等 是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外 延层，广义上称为化学气相淀积 （chemical vapor deposition,CVD） CVD生长的薄膜未必是单晶，所以严格讲只有生长的薄膜是单晶的CVD才是外延生长。 CVD设备简单，生长参数容易控制，重复性好， 是目前硅外延生长的主要方法