中国科学技术大学物理系微电子专业 §6现代MOS器件 ULSⅠ发展的两个主要方向:深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成。 因此需要对深亚微米和亚0.微米工艺、器 件和电路技术,器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小 mOsfet中的一些物理效 应,如器件尺寸变小,通常的一维器件模 型需要修正,出现二维、三维效应,同时 还会出现各种强电场效应。 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 2 Semiconductor Devices §6.1 现代MOS器件 • ULSI发展的两个主要方向：深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成。 • 因此需要对深亚微米和亚0.1微米工艺、器 件和电路技术，器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小MOSFET中的一些物理效 应，如器件尺寸变小，通常的一维器件模 型需要修正，出现二维、三维效应，同时 还会出现各种强电场效应