(4)当a,b,C,d=1,1,0,0或a,b,C,d=0,0,1,1时 vad βcm=Bn/2 (5)当a,b,C,d=0,1,0,1或1,0,1,0或0,1,1,0或 综合以上情况,在最坏的工作情况下,即:(4) (5),应使 Bcp=βp2=p βcm=Bn/2=B 则:W'p/Wn=um/up≈2.5 四 、CMOS传输门 个MOS管(图5)可以作为一个开关使用 下面我们分析一个NMOS管的开关特性。电路中 C1是其负载电容。 当Ⅴ=0时,T截止,相当于开关断开。 图4CMOS与或非门 当V=1时,T导通,相当于开关合上。 ·V1〈VgV1时:输入端处于开启状态,设初始时V。=0,则V刚加上时,输出端也处于开 启状态,MOS管导通,沟道电流对负载电容C充电,至Vo=V。 ·V≥VgV1时:输入沟道被夹断,设初使V。〈VgV,则ⅵ刚加上时,输出端导通,沟 道电流对C1充电,随着vo的上升,沟道电流逐渐减小,当Vo=VgV时,输出端也夹断, MOS管截止,V保持ⅤV不变 综上所述 Vg<ⅤgV时,MOS管无损地传输信号。 Ⅴ≥ⅤgrV时,V。=ⅤgrV信号传输有损失,为不使Ⅴ有损失需增大Ⅴg。 Vo=Ve-VI T V/(Ve-v,) 图5MOS管的开关特性 为了解决NMOS管在传输时的信号损失,我们通常采用CMOS传输门(图6)作为开 关使用,它是由一个N管和一个P管构成。工作时,NMOS管的衬底接地,PMOS管的衬 底接电源,且NMOS管栅压gn与PMOS管的栅压V极性相反。 ·V=1,Ⅴg=0时:双管截止,相当于开关断开(4)当 a,b,c,d=1,1,0,0 或 a,b,c,d=0,0,1,1 时： βeffn=βn ’ /2 (5)当 a,b,c,d=0,1,0,1 或 1,0,1,0 或 0,1,1,0 或 1,0,0,1 时：βeffp=βp ’ /2 综合以上情况，在最坏的工作情况下，即：（4）、 （5），应使： βeffp=βp ’ /2=βp βeffn=βn ’ /2=βn 则： W’p/W’n=μn/μp≈2.5 四、CMOS 传输门 一个 MOS 管（图 5）可以作为一个开关使用， 下面我们分析一个 NMOS 管的开关特性。电路中 Cl 是其负载电容。 当 Vg=0 时，T 截止，相当于开关断开。 图 4 CMOS 与或非门 当 Vg=1 时，T 导通，相当于开关合上。 • Vi〈Vg-Vt 时：输入端处于开启状态，设初始时 Vo=0，则 Vi 刚加上时，输出端也处于开 启状态，MOS 管导通，沟道电流对负载电容 Cl 充电，至 Vo=Vi 。 • Vi≥Vg-Vt 时：输入沟道被夹断，设初使 Vo〈Vg-Vt，则 Vi 刚加上时，输出端导通，沟 道电流对 Cl 充电，随着 Vo 的上升，沟道电流逐渐减小，当 Vo=Vg-Vt 时，输出端也夹断， MOS 管截止，Vo 保持 Vg-Vt 不变。 综上所述： Vg<Vg-Vt 时，MOS 管无损地传输信号。 Vi≥Vg-Vt 时，Vo=Vg-Vt 信号传输有损失，为不使 Vo 有损失需增大 Vg 。 图 5 MOS 管的开关特性 为了解决 NMOS 管在传输时的信号损失，我们通常采用 CMOS 传输门（图 6）作为开 关使用，它是由一个 N 管和一个 P 管构成。工作时，NMOS 管的衬底接地，PMOS 管的衬 底接电源，且 NMOS 管栅压 Vgn 与 PMOS 管的栅压 Vgp 极性相反。 • Vgp=1，Vgn=0 时：双管截止，相当于开关断开； x Vss a c b d Vdd a b c d Vg Vi T Cl Vo Vo/（Vg-Vt） 1 1 Vi/（Vg-Vt） Vo=Vg-Vt