器的特性相同。 设:标准反相器的导电因子为βn=Bp 与非门的导电因子为Bn1=Bn2=Bn 与非门的工作情况如下 (1)当a,b=1,1时,下拉管的等效导电因子:Bcm=Bn/2 (2)当a,b=0,0时,上拉管的等效导电因子:阝cm=2Bp (3)当a,b=1,0或0,1时,上拉管的等效导电因子:βcm=B'p 综合以上情况,在最坏的工作情况下,即:(1)、(3),应与标准反相器相当,既使: βcmp=βp=Bp B effn=Bn2=B n Bp=Bn→Bem=Bem na("),=2n(") 一≈O.5×2.5=1.25 即要求p管的沟道宽度比n管大1.25倍以上 图2CM0S与非门 二、或非门 如图3是或非门电路,其逻辑功能为: 下面分析其工作情况。 (1)当a,b=0,0时,上拉管的等效导电因子:βcm=Bp2 2)当a,b=1,1时,下拉管的等效导电因子:βcm=2βn 3)当a,b=1,0或0,1时,下拉管的等效导电因子:βcmn=Bn 综合以上情况,在最坏的工作情况下,即:(1)、(3),应与标准反相器相当,既使: P effp =Pp/2=P p Beffn=Bn=B 即:βp=2βn 所以Wp/Wn=2un/up≈2*2 要求在或非门情况下,p管的宽度要比n管宽度大五 倍才行 、CMQS与或非门 如图4为CMOS与或非门,它实现的逻辑功能为: X=ab+cd (1)当a,b,c,d=0,0,0,0时:βcm=Bp (2)当a,b,C,d=1,1,1,1时:Bcm=Bn 3)当a,b,C,d有一个为1时:βc=2B/3 图3CMOS或非门Vdd Vss X b a Vdd Vss X b a Tp2 Tp1 Tn1 Tn2 器的特性相同。 设：标准反相器的导电因子为 βn=βp 与非门的导电因子为 βn1=βn2=βn ’ , βp1=βp2=βp ’ 与非门的工作情况如下： (1) 当 a，b=1，1 时，下拉管的等效导电因子：βeffn=βn ’ /2 (2) 当 a，b=0，0 时，上拉管的等效导电因子：βeffp=2βp ’ (3) 当 a，b=1，0 或 0，1 时，上拉管的等效导电因子：βeffp=β’p 综合以上情况，在最坏的工作情况下，即：（1）、（3），应与标准反相器相当，既使： βeffp=βp ’=βp βeffn=βn ’ /2=βn 即要求 p 管的沟道宽度比 n 管大 1.25 倍以上。 图 2 CMOS 与非门 二、或非门 如图 3 是或非门电路，其逻辑功能为： 下面分析其工作情况。 (1)当 a，b=0，0 时，上拉管的等效导电因子：βeffp=βp ’ /2 (2)当 a，b=1，1 时，下拉管的等效导电因子：βeffn=2βn ’ (3)当 a，b=1，0 或 0，1 时，下拉管的等效导电因子：βeffn=βn ’ 综合以上情况，在最坏的工作情况下，即：（1）、（3），应与标准反相器相当，既使： βeffp=βp ’ /2=βp βeffn=βn ’=βn 即： βp ’=2βn ’ 所以 Wp ’ /Wn ’=2μn/μp≈2*2.5=5 要求在或非门情况下，p 管的宽度要比 n 管宽度大五 倍才行。 三、CMOS 与或非门 如图 4 为 CMOS 与或非门，它实现的逻辑功能为： (1)当 a,b,c,d=0,0,0,0 时：βeffp=βp ; (2)当 a,b,c,d=1,1,1,1 时：βeffn=βn ’ (3)当 a,b,c,d 有一个为 1 时：βeffp=2β/p ’3 图 3 CMOS 或非门 X = a + b X = ab + cd ( ) ( ) 0 5 2 5 125 2 2 1 L W ox β μC ' p 2 β ' n β βeffp β n effn β p β . . . p μ n μ W ' n W' p L W ' p ox C n μ L W ' p ox C p μ =   =  =       = =  = → =