(2)多晶硅薄膜的电子特性 掺杂浓度比较低时，电阻率比单晶硅高4-6个数量级，载流子浓度比掺杂浓度低4-5个 数量级，电阻率随摻杂浓度的改变不明显；当摻杂浓度比较高时，电阻率趋于并略高 于同一掺杂水平的单晶硅电阻率，载流子浓度接近掺杂浓度；在中间掺杂水平，迅速 变化。 ，薄膜中多子迁移率在中等掺杂范围内，有一个极小值，在高掺杂端有一个极大值。 (a)106 (b)1000 未擦杂 +计算值 105 +实验数据 一理论值 一理论值 104 单晶硅 103 100 102 Lcal -1220A- Lcal-230A 101 100 10 10-1 单品硅 10-2 10-3 1015 1016 10171018 10191020 10151016 1017101810191020 掺杂浓度(cm3) 排杂浓度(cm)（2）多晶硅薄膜的电子特性 • 掺杂浓度比较低时，电阻率比单晶硅高4-6个数量级，载流子浓度比掺杂浓度低4-5个 数量级，电阻率随掺杂浓度的改变不明显；当掺杂浓度比较高时，电阻率趋于并略高 于同一掺杂水平的单晶硅电阻率，载流子浓度接近掺杂浓度；在中间掺杂水平，迅速 变化。 • 薄膜中多子迁移率在中等掺杂范围内，有一个极小值，在高掺杂端有一个极大值。 掺杂浓度（cm-3） 电阻率（Ω-cm） 单晶硅 ° + - 理论值 计算值 未掺杂 掺杂浓度（cm-3） 空穴迁移率（cm2/V·s） + 实验数据 — 理论值 -- 单晶硅