图10.10是用含有碱金属的水控制污染的条件,在1100℃下硅化物的结晶分数与加 热时间的关系。曲线1为SiN4,曲线2、3、4是不同成分的SiON2,曲线5是含有杂 质Sb的SO2。从图中可以看出SiON的结晶情况介于SiO2和SiN4之间。 单晶材料经过离子注入成为的非晶态,在一定温度的退火处理下,其结构又会趋向 于结晶状态。 对于一些硫系非晶态材料,还可利用光诱导 构变化,使它由非晶态转变为晶态,图10.11 AsSe, 中给出了AS2S32的光晶化过程,实验是用激光束 聚焦在样品上,用喇曼散射来监测样品的非晶体 1=25min 晶体转变,从图中看出,随着光照时间的增加 样品的喇曼谱从a-AS2S3宽连续谱发展成为 C-AS2S3线状谱。利用非晶材料的光致晶化特征 可用作计算机的记忆元件。 =lImin §10.3非晶固体的电子态 在非晶态固体中,原子排列不具有长程序, 薛定谔方程中的势能函数不再是周期分布的,电 子的波函数不能用布洛赫函数来描述,其状态也 不能用波矢K来标志,因此,需要首先研究在 不具有长程序的无序系统中电子态的特性 图10.11AS2S3的光晶化过程,用喇曼 谱峰线的出现监测晶体的特征 10.3.1安德森模型 在有序晶体中,原子排列有一定的规律,势场(r)是周期性的,(图10.12a)。在非 晶态固体中可用两种模型来描述无序的影响,一种模型是每一格点相对于平衡位置有 无规的偏移,其位置是随机分布的:另一种是原子位置保持在格点上,势阱深度在一定 围内随机变化,这是安德森( Anderson)提出来的,称为安德森势,如图10.2(b) 所示 安德森转变 图10.12安德森转变的单电子紧束缚图象,当无序的宽度W超过 带宽B时,无序引起的定域发生] 3 1 [1 43 η ⋅−−= tVIexp)t( （10.3） 图 10.10 是用含有碱金属的水控制污染的条件，在 1100℃下硅化物的结晶分数与加 热时间的关系。曲线 1 为Si3N4，曲线 2、3、4 是不同成分的SixOyNz，曲线 5 是含有杂 质Sb的SiO2。从图中可以看出SixOyNz的结晶情况介于SiO2和Si3N4之间。 单晶材料经过离子注入成为的非晶态，在一定温度的退火处理下，其结构又会趋向 于结晶状态。 图 10.11 AS2S3的光晶化过程，用喇曼 谱峰线的出现监测晶体的特征 对于一些硫系非晶态材料，还可利用光诱导 结构变化，使它由非晶态转变为晶态，图 10.11 中给出了AS2S3的光晶化过程，实验是用激光束 聚焦在样品上，用喇曼散射来监测样品的非晶体 →晶体转变，从图中看出，随着光照时间的增加， 样品的喇曼谱从a-AS2S3宽连续谱发展成为 C-AS2S3线状谱。利用非晶材料的光致晶化特征 可用作计算机的记忆元件。 §10.3 非晶固体的电子态 在非晶态固体中，原子排列不具有长程序， 薛定谔方程中的势能函数不再是周期分布的，电 子的波函数不能用布洛赫函数来描述，其状态也 不能用波矢 K 来标志，因此，需要首先研究在 不具有长程序的无序系统中电子态的特性。 10.3.1 安德森模型 在有序晶体中，原子排列有一定的规律，势场 V(r)是周期性的，（图 10.12.a）。在非 晶态固体中可用两种模型来描述无序的影响，一种模型是每一格点相对于平衡位置有一 无规的偏移，其位置是随机分布的；另一种是原子位置保持在格点上，势阱深度在一定 范围内随机变化，这是安德森（Anderson）提出来的，称为安德森势，如图 10.12（b） 所示。 图 10.12 安德森转变的单电子紧束缚图象，当无序的宽度 W 超过 带宽 B 时，无序引起的定域发生。 8