§3.1集成电路工艺层 互连线电阻和电容 >互连线电阻和电容使传播延时增加，相应于性能的下降 >互连线电阻会消耗功率 >互连线电容会引起额外的噪声，影响电路的可靠性 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 §3.1集成电路工艺层 Intel0.18um工艺互连线 Layer t(nm) w(nm) s(nm)AR 6 1720 860 860 2.0 1000 5 1600 800 800 2.0 1000 1080 540 540 2.0 图 700 3 700 320 320 2.2 图因 700 700 320 320 2.2 图因 700 480 250 250 1.9 g 800 Substrate 2018-9-5 第3章CMOS集成电路的物理结构 102018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 9 §3.1 集成电路工艺层 ¾互连线电阻和电容使传播延时增加，相应于性能的下降 ¾互连线电阻会消耗功率 ¾互连线电容会引起额外的噪声，影响电路的可靠性 互连线电阻和电容 2018-9-5 第3章 CMOS集成电路的物理结构 10 §3.1 集成电路工艺层 Intel 0.18µm 工艺互连线