点击下载:科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第四章 硅锗晶体中的杂质和缺陷
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水平区熔拉晶时杂质的控制 (区域匀平法) ■在用水平区熔法生长单晶时的掺杂,是 把杂质放在籽晶与料锭之间,随着熔区 的移动使杂质分布在整个晶锭中。 ■利用这种方法可以得到比较均匀的电阻 率分布,因此又称为区域匀平法。8 二、水平区熔拉晶时杂质的控制 (区域匀平法) ◼ 在用水平区熔法生长单晶时的掺杂,是 把杂质放在籽晶与料锭之间,随着熔区 的移动使杂质分布在整个晶锭中。 ◼ 利用这种方法可以得到比较均匀的电阻 率分布,因此又称为区域匀平法
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