Si的刻蚀方法的选择性与各向异性特性 HNA KOH XeF SF 6 RIE plasma 刻蚀类型 湿法湿法千法干法千法 刻蚀各向异性否 疋 不定是 刻蚀速率 1-31-21-3 um/min 氮化硅刻蚀很低很低很低很低很低 氧化硅刻蚀30m/m10m/m很低很低 很低 A1刻蚀 是是 Au刻蚀 可能否否 P型S刻烛是否是 否否是 否否是Si的刻蚀方法的选择性与各向异性特性 HNA KOH XeF2 SF6 plasma RIE 刻蚀类型 刻蚀各向异性 刻蚀速率 (m/min) 氮化硅刻蚀 氧化硅刻蚀 Al刻蚀 Au刻蚀 P型Si刻蚀 湿法 否 1-3 很低 30nm/m 是 可能 是 湿法 是 1-2 很低 10nm/m 是 否 否 干法 否 1-3 很低 很低 否 否 是 干法 不定 1 很低 很低 否 否 是 干法 是 >1 很低 很低 否 否 是