1-1-1功率半导体技术新进展 一、功率开关器件发展阶段

随着半导体技术的发展在一个半导体芯片上集 成的电子元件数目越来越多,并按集成的电子元件数 目的多少划分为: SSI:10门以下/片,每片含100个元件以下

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体

一、半导体的导电特性 二、本征半导体 三、杂质半导体

1.4.1 半导体器件的命名方法 1.4.2 半导体二极管 1.4.3 半导体三极管

第1章半导体器件基础 1.1半导体基础知识 1.2半导体二极管 13半导体三极管 1.4场效应管

1.1半导体的基础知 1.1.1本征半导体 1.1.2杂质半导体 1.1.3PN结

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管