14半导体器件 14.1半导体器件的命名方法 1国产半导体器件的命名方法 半导体器件型号由五个部分组成,前三个部分 的符号意义见表1.10所示。第四部分是数字表示 器件的序号,第五部分是用汉语拼音字母表示规 格号
1.4 半导体器件 1.4.1 半导体器件的命名方法 1.国产半导体器件的命名方法 半导体器件型号由五个部分组成，前三个部分 的符号意义见表1.10所示。第四部分是数字表示 器件的序号，第五部分是用汉语拼音字母表示规 格号
息卓▲。急 表1.10半导体器件型号的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 符号 意义 意义 符号 意义 2 二极管 N型,锗材料 普通管 三极管 符ABCDABCDE P型,锗材料 微波管 N型,硅材料 稳压管 P型,硅材料 参量管 PNP型,锗材料 整流器 NPN型,锗材料 整流堆 PNP型,硅材料 PVwCZLSNUK 隧道管 NPN型,硅材料 阻尼管 化合物材料 光电器件 开关管 X低频小功率管(f<3MHzP<1W) G高频小功率管(f3 MHz Pc<W) 低频大功率管(f<3 MHz Pc≥1W) A高频大功率管(f3 MHz Pc21W) T 可控硅整流器 Y|体效应器件 B雪崩管 阶跃恢复管 CS|场效应器件 BT半导体特殊器件 复合管 PN|PN型管 JG 激光器件
表1.10 半导体器件型号的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 3 二极管 三极管 A B C D A B C D E N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G D A T Y B J 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流器 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管（fα< 3MHz, Pc<1W） 高频小功率管（fα≥3MHz,Pc<1W） 低频大功率管（fα<3MHz,Pc≥1W） 高频大功率管（fα≥3MHz,Pc≥1W） 可控硅整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 CS BT FH PIN JG 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件
示例:硅材料NPN型低频大功率三极管: 3 15 三极管NPN型硅材料低频大功率序号规格
示例：硅材料NPN型低频大功率三极管： 3 D D 15 D 三极管 NPN型硅材料 低频大功率 序号 规格
息单映▲。急 2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件型号由五至七部分组成。前五个部分符 号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常由各公司自 行规定。 第一邹分 熟二邹分 第三部分第四部分第五邻分 符号象义符号原义符号 彦义 符号意义符号象义 光电二已在目本APH高频员件数字用两饺A该器件 0或三极 电予工业BPN便频品纬管 以上数B为原型 协会注 字表示c号的改 二圾胬 登记的非cP高频品体 迕日本D迸产品 导件器件D1p低频品件管 电干协E 2三极管或 E|P控制极可控磁 舍登记|F 有三个电 G|控制极可投碳 注肼的 圾的其岂 HX单装品纬管 顺序号 潺件 J|p沟道场效应 3四个电圾 K|泡道场效应斡 的器件 M双自可控碳
2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件型号由五至七部分组成。前五个部分符 号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常由各公司自 行规定
例如:2SC1815为NPN型高频三极管(简称 C1815);2SD8201A为NPN型低频三极管,A表 示改进型
例如： 2SC1815 为 NPN 型 高频 三 极 管 (简 称 C1815)；2SD8201A为NPN型低频三极管，A表 示改进型
息卓▲。急 3美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会(EIA规定的半导体器件的命名型号由 五部分组成,第一部分为前缀,第五部分为后缀,中间部分为型 号的基本部分,如表所示。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 用数字表示 美国电子工业协会 美国电子工业 用字母表示 用途 PN结数目 注册标志 协会登记号 器件分档 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 JAN或军用品 极管 N该器件是在美数字该器件是在A同一型号 国电子工 美国 器件 极管 业协会注 电子 BCD 的不 册登记的 工业 同档 非军用品 三个PN结 半导体器 协会 器件 登记 n个PN结 器件
3.美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会(EIA)规定的半导体器件的命名型号由 五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间部分为型 号的基本部分，如表所示。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 用途 用数字表示 PN结数目 美国电子工业协会 注册标志 美国电子工业 协会登记号 用字母表示 器件分档 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 JAN或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工 业协会注 册登记的 半导体器 件 数字 该器件是在 美国 电子 工业 协会 登记 号 A B C D 同一型号 器件 的不 同档 别 2 三极管 无 非军用品 3 三个PN结 器件 n n个PN结 器件
例如:1N4001—硅材料二极管;JAN2N2904 军用三极管
例如：1N4001—硅材料二极管；JAN2N2904— 军用三极管
息卓▲。急 14.2半导体二极管 二极管的分类 二极管其主要特性是单向导电性。二极管的种类繁 多,按用途分为整流、检波、稳压、阻尼、开关、发光和 光敏二极管等;按采用的材料的不同可分为锗二极管、硅 二极管和砷化镓二极管等;按结构的不同又可分为点接触 和面接触二极管;按工作原理分有隧道二极管、变容二极 管、雪崩二极管、双基极二极管等。 计计-1 一般二极管发光二极管变容二极管稳压二极管隧道二极管双向二极管
1.4.2半导体二极管 1. 二极管的分类 二极管其主要特性是单向导电性。二极管的种类繁 多，按用途分为整流、检波、稳压、阻尼、开关、发光和 光敏二极管等；按采用的材料的不同可分为锗二极管、硅 二极管和砷化镓二极管等；按结构的不同又可分为点接触 和面接触二极管；按工作原理分有隧道二极管、变容二极 管、雪崩二极管、双基极二极管等。 一般二极管 发光二极管 变容二极管 稳压二极管 隧道二极管 双向二极管
息卓映▲急 2.二极管的主要参数 (1)最大整流电流I 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正 向平均电流。I的数值是由二极管允许的温升所限 定。使用时,管子的平均电流不得超过此值,否则 可能使二极管过热而损坏
2. 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IF 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正 向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限 定。使用时，管子的平均电流不得超过此值，否则 可能使二极管过热而损坏
息卓▲。急 (2)最大反向工作电压UR 是指工作时加在二极管两端的反向电压不得超 过此值,否则二极管可能被击穿电压UBR的一半定 为UR (3)反向电流IR 是指在室温条件下,在二极管两端加上规定的 反向电压时,流过管子的反向电流。通常希望IR值 愈小愈好。反向电流愈小,说明二极管的单向导电 性愈好。此外,由于反向电流是由少数载流子形成, 所以R受温度的影响很大
（2）最大反向工作电压UR 是指工作时加在二极管两端的反向电压不得超 过此值，否则二极管可能被击穿电压UBR的一半定 为UR。 （3）反向电流IR 是指在室温条件下，在二极管两端加上规定的 反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值 愈小愈好。反向电流愈小，说明二极管的单向导 电 性愈好。此外，由于反向电流是由少数载流子形成， 所以IR受温度的影响很大