一、理想运算放大器概念 二、理想运算放大器特性 1.理想运放工作在线性状态时的特性 2.理想运放工作在非线性状态时的特性

第一节 理想信念与大学生成长成才 第二节 树立科学的理想信念 第三节 架起通往理想彼岸的桥梁

§3-1 理想气体状态方程 §3-2 (比)热容specific heat §3-3 理想气体的u、h、s §3-4 理想气体u、h和s的计算

12-4理想气体分子平均平动动能与温度的关系 一、理想气体压强公式p=nk 二、理想气体物态方程p=nkT

19.3M-B统计在理想气体中的应用(续) 一.麦克斯韦分子速率分布定律 二.玻尔兹曼粒子按势能分布规律 三.能均分定律理想气体内能

在前面已经讨论了两部分：理想腔和耦合腔。现在将进一步讨论非理想腔。这里把非理想腔特指为腔内放物体，腔形状的改变等等。此类问题严格说来必须从Maxwell方程组出发给出新模式。但是，对任意腔建立严格理论是十分困难的。微扰法是认为腔内模式(Field)不变，而所变的只是谐振频率——这是场论计算中常用的近似方法

第八章互感与理想变压器 8.1耦合电感元件 8.2含耦合电感正弦交流电路的分析 8.3空心变压器分析 8.4耦合电感的去耦等效电路分析 8.5理想变压器

 1 理想介质中的均匀平面波  2 平面波的极化  3 有耗媒质中的均匀平面波  4 均匀平面波对平面分界面的垂直入射  5 均匀平面波对理想导体表面的斜入射  6 均匀平面波对理想介质表面的斜入射

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

13-3理想气体的等体和等压过程摩尔热容 计算各等值过程的热量、功和内能的理论基础. (1)pV=VRT(理想气体的共性) 解决过程中能