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电磁铸造系统稳定性的数值分析
文档格式:PDF 文档大小:507.18KB 文档页数:6
采用互感耦合模型对电磁铸造中的液柱高度和弯液面形状进行了数值计算。分析了液柱高度和弯液面形状对系统稳定性的影响。考察了电压和频率对系统电流的影响规律。计算结果表明,在其他工艺条件不变时,只要电压或频率的变化量小于±2%,系统是稳定的
温度和湿度对Nafion膜氢传感器性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:564.32KB 文档页数:5
系统研究了以Nafion112膜为电解质的氢传感器在不同工作环境下的氢敏感性能.结果表明,以Nafion112膜为电解质的氢传感器对氢具有很好的敏感性,可以实现微量氢气泄漏的快速检测.该传感器在氢气体积分数为(500~3000)×10-6时的响应电压与氢气体积分数的对数呈线性关系,为标定不同环境下氢气含量与传感器响应电压的对应关系提供了依据.在相同湿度条件下,传感器响应电压随温度的升高而下降.湿度对传感器响应电压的影响与温度相关:温度较低时,响应电压随湿度的增加而下降;温度较高时,响应电压随湿度的增加而升高
纯电动车用18650电池的一致性研究
文档格式:PDF 文档大小:5.51MB 文档页数:8
通过对国内外五款纯电动车用18650电池进行电化学性能测试、变异系数分析和相关性分析,评估电池在初始阶段和老化过程中的一致性,并系统分析电流、温度及电压范围对电池一致性的影响.结果表明:为了提高纯电动车用18650电池全寿命周期内的一致性,必须控制充电倍率小于0.3C,放电倍率小于0.5C,使用温度高于0℃.此外,优化电池筛选工艺也是改善电池一致性的一个重要方法.初始筛选时加入能够表征寿命因素的特征参数k值,即静置时开路电压的下降速率,是非常有效的
《高压变频器》教学资源(教程》高压变频器教程
文档格式:PDF 文档大小:237.95KB 文档页数:14
第一节 前言 第二节 电流源型变频器 第三节 晶闸管电流源型变频器 第四节 GTO-PWM 式电流源型变频器 第五节 三电平 PWM 电压源型变频器 第六节 三电平变频器原理 第七节 二.三电平电压空间矢量控制
《电路与模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第7章 基本放大电路(7.3)功率放大电路
文档格式:PPT 文档大小:168KB 文档页数:43
功率放大电路在多级放大电路中处于最后一级, 又称输出级。其主要作用是输出足够大的功率去驱动 负载,如扬声器、伺服电机、指示表头、记录器等。 功率放大电路要求:输出电压和输出电流的幅度都比 较大;效率高。因此,三极管工作在大电压、大电流 状态,管子的损耗功率大,发热严重,必须选用大功 率三极管,且要加装符合规定要求的散热装置。由于 三极管处于大信号运用状态,不能采用微变等效电路 分析法,一般采用图解分析法
沈阳工程学院:《电机学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 异步机功率平衡与转矩特性
文档格式:PPT 文档大小:164KB 文档页数:12
1、最大电磁转矩与电源电压平方成正比; 临界转差率与电源电压无关。 3、频率越高,最大电磁转矩和临界转差率越小; 漏抗越大,最大电磁转矩和临界转差率越小;
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
河海大学电气工程学院:《电能系统基础》课程资源(PPT教学课件)第五章 电能系统的电气接线(5.7)发电厂的电气主接线(陈星莺、廖迎晨)
文档格式:PPT 文档大小:733KB 文档页数:6
5.7.1 向近区供电为主的电气主接线发电厂 向近区供电为主的发电厂,一般容量较小, 并建立在工业企业、城市、乡镇附近。因此, 发电机电压级的接线常采用有母线的接线形式, 升高电压侧则根据具体情况采用合适的接线形式
安徽科技学院:《模拟电子技术》课程教学资源(课件讲稿)第七章 信号检测与处理电路
文档格式:PDF 文档大小:3.1MB 文档页数:71
§7.1 电子系统概述 §7.2 信号检测系统中的放大电路 一、测量放大器 二、隔离放大器 三、程控增益放大器 §7.3 有源滤波器 §7.5 电压比较器 一、概述 二、单限比较器 四、窗口比较器 三、滞回比较器 五、集成电压比较器 一、概述 二、低通有源滤波器 三、高通有源滤波器 四、带通和带阻有源滤波器 §7.4 线性检波与采样-保持电路 一、线性检波电路 二、采样-保持电路
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 MOS模拟集成电路基础(4.3)MOS模拟集成电路基础
文档格式:PPT 文档大小:771.5KB 文档页数:13
与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多
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