一、实验目的: 1 了解TTL与非门主要参数的测试 2 了解集成元器件引脚的排列特点 3 掌握TTL与非门逻辑功能的测试方法 4 数字电路学习机的介绍

一、实验目的: 1 掌握中规模集成电路的功能及使用方法 2 学习用“反馈归零法”和“反馈置数法”构成 N进制计数器的方法 3 学会中规模集成电路的分析方法、设计方法和测试方法

一、实验目的: 1 掌握组合逻辑电路的设计及调试方法 2 了解用标准与非门实现逻辑电路的变换方法及技巧

一、实验目的 1 掌握集成J-K触发器逻辑功能的测试方法 2 了解并验证触发器的逻辑功能及相互转换的方法 3 学习用J-K触发器构成简单时序逻辑电路的方法 4 熟悉示波器的使用

实验目的 1.熟悉pentium微处理器指令系统和寻址方式 2.掌握汇编语言程序的编程与调试方法 实验内容 1.结合作业第二题熟悉pentium微处理器实模式下算术与逻辑运算指令的功 能,用 debug逐条观察各个指令执行前后的相关寄存器的标志位的变化。 2.masm6.11的使用和汇编语言程序的调试

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验发现，以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段．实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征，并对有关现象进行了初步讨论．

11-8磁场对载流导线的作用安培定律 1、电子受到的洛沦兹力:F=-eB 2、电子受到的霍耳电场力:F=-eEH

西安建筑科技大学机电工程学院：《液压与液力传动》精品课程_实验教学大纲

一、演示实验 二、带电粒子在磁场中的运动 三、安培力公式 四、磁场中的磁矩