点缺陷的特点是在空间三维方向上的尺寸都很小，约为几个原子间距，又称零维缺陷 ⑴空位 ⑵间隙原子 ⑶置换 原子

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

一、基本概念 二、施加预应力的方法 三、预应力混凝土所用的材料 四、张拉控制应力con的确定 五、预应力损失值 六、轴心受拉构件的分析 七、受弯构件的分析

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

纳米”是英文nanometer的译名， 是一种度量单位，1纳米为百万分之一 毫米，即1毫微米，也就是十亿分之一 米，约相当于45个原子串起来那么长。 纳米结构通常是指尺寸在100纳米以下 的微小结构。 纳米研究的范围是1到100纳米， 0．1纳米是单个氢原子的尺寸，因此 所谓0．1纳米层面的“纳米技术”是 不存在的

基本概念 gn_6_1 纯弯 梁横截面上只有弯矩一个内力分量。(补充图 4) gn_6_2 平面假定 结构（杆件）变形前后，其横截面仍然保持平面。（L 书 p.168 图 5.2） gn_6_3 中性层 变形前后梁纵截面内有一层既不伸长又不缩短的纤维薄层称为中性层

在求解静不定结构时，一般先解除多余约 束，代之以多余约束力，得到基本静定系。再 根据变形协调条件得到关于多余约束力的补充 方程。这种以“力”为未知量，由变形协调条 件为基本方程的方法，称为力法

一、工程实践中的弯曲变形问题 在工程实践中，对某些受弯构件，除要求 具有足够的强度外，还要求变形不能过大，即 要求构件有足够的刚度，以保证结构或机器正 常工作

一、取向方向的拉伸强度显著提高 二、材料呈现各向异性的特性 三、热稳定性能得到相应提高 四、用快的取向过程使链段解取向，可使之具有弹性

1. N个原子组成体系的X射线相干散射/衍射 2. 简单晶体的X射线衍射 3. 复杂晶体的X射线衍射 晶体结构因数F 4. 用倒易点阵表示衍射 厄瓦尔德（Ewald） 5．X射线衍射常用实验方法