一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

采用扫描电镜和透射电子显微镜对低碳Ti-Mo系的热轧板进行了组织分析,同时对其中的纳米粒子析出行为进行了研究.强化机理分析表明析出强化对于屈服强度的贡献值可达291 MPa.随着卷取温度的降低,纳米粒子相间析出的排间距会减小,相间析出的排间距与其在铁素体中形核点位置有一定的离散值,但基本上呈一定的固定值.α/γ界面的观察和采用不同理论的计算结果表明相间析出的产生主要与α/γ界面的台阶形成有关,相间析出的排间距大小由台阶高度、晶界扩散系数、等温温度、台阶面迁移速率等决定

一､传输门TG 1､电路结构 CMOSFF具有功耗低､抗干扰能力强､制造工艺简单､集成度高和成本低等优点

借助热力学软件Thermo-Calc和ASPEX自动扫描电镜等分析手段,研究了低合金高强钢精炼过程渣-钢反应和钙处理对夹杂物改性行为的影响.通过提高炉渣碱度和w(CaO)/w(Al2O3)值以及降低炉渣氧化性等措施,钙处理前钢中Al2O3夹杂物转变为靠近1600℃液相区的CaO-MgO-Al2O3复合夹杂物和少量的MgO·Al2O3尖晶石.在渣-钢反应对Al2O3部分变性的基础上,钙线喂入量每炉由优化前的800 m减少到300 m仍能达到夹杂物改性的目的

以低碳Nb、V、Ti、Mo和Cr合金化贝氏体钢为研究对象,在Formaster-Digital膨胀仪上测定了过冷奥氏体的静态CCT曲线;在Gleeble-1500热/力模拟机上,用膨胀法测定了奥氏体的动态CCT曲线;采用扫描电镜和透射电镜分析了贝氏体钢的室温组织演变规律.结果表明:合金元素抑制奥氏体向铁素体转变,在冷却速度大于10℃·s-1的范围内,静态CCT和动态CCT的室温组织均为贝氏体,具有较高的强度;奥氏体变形促进了贝氏体转变,贝氏体转变开始温度为610~668℃,终了温度为520~551℃

本文利用冲击韧性试验、扫描电镜、离子探针及俄歇谱议等手段研究讨论了合金元素Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢在淬火和低温回火状态下韧性的影响规律。研究结果表明:当钢中不含Si或含有少量Si面单独加入Mn,则由于Mn-P在晶界共偏析的原因,使P在晶界的浓度大为增加,导致了钢在淬火和低温回火状态下沿晶断裂的发生,从而降低了钢的韧性水平。在高Mn（2%Mn）钢中加入Si,由于Si在晶界的富集及Si-P的相互排斥作用,使P在晶界的偏析浓度下降。从而在一定程度上抑制了晶界脆性的发展和晶界断裂的发生,使钢的韧性水平显著提高。本文还研究了Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢低温回火脆性（350℃脆性）的影响。实验结果表明:低温回火脆性既与杂质元素的晶界偏析有关,又与ε碳化物向渗碳体转化及渗碳体沿原奥氏体晶界成薄片状析出有关,由于Si和Mn既能影响杂质元素,特别是P在晶界的偏聚,又能影响ε碳化物向渗碳体转化,故Si和Mn对Si-Mn-Mo-V钢低温回火脆性发生的温度和强烈程度均有显著的影响

第1章微型计算机系统基本知识 1-1概述 1.1.1微型计算机 外部设备 输入输出 接口电路 存储器 微型计算机具有体积小,功耗低重量轻,价格低,可靠性高,开发使用简便等一系列优点,自问世以来得到器控制部件算术逻了非常广泛的应用

ARM( Advanced rIsC Machines)是微处理器行业的一家知名企业,该企业设计了 大量高性能、廉价、耗能低的RISC处理器、相关技术及软件。技术具有性能高、成本 低和能耗省的特点,适用于多种领域,比如嵌入控制、消费/教育类多媒体、DSP和移 动式应用等。 ANM将其技术授权给世界上许多著名的半导体、软件和OEM厂商,每个厂商得到的 都是独一无二的ARM相关技术及服务,利用这种合作关系,ARM很快成为许多全球性RISC 标准的缔造者

对复合添加少量Sn和Sb或Sn和Bi的低碳高硫易切削钢做了切削和高温热塑性实验.结果表明:试样在长时间的高速切削条件下刀具后刀面磨损很小,其易切削性能明显优于SAE1215钢.含Sn和Sb的钢样在750~950℃温度范围内塑性较差,在1050~1300℃范围内具有良好的塑性.扫描电镜及能谱分析表明:钢中Sn和Sb元素在晶界、MnS夹杂物内及MnS边界处均存在;大部分的Bi元素附着在MnS夹杂物上,一部分弥散分布在钢的基体中;钢中MnS夹杂主要呈球状和纺锤状

3.1数制与编码 一、什么叫数制? 多位数码每一位的构成以及从低位到高位的进位规则称为数制。 1.十进制 二、十进制的每一位由0~9十个数码构成,所以十进制的基数为10,低位到高位是逢十进一