DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

SEMICONDUCTOR Fast Switching Thyristor Replaces July 2001 version, DS4267-40 DS4267-41July2002 FEATURES KEY PARAMETERS Low Switching Losses At High Frequency

Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Blocking

L Electrically Isolated Package 5500A Pressure Contact Construction T(AV)(per arm) 190A International Standard Footprint 3000v Alumina(non-toxic)Isolation Medium

2.1单相可控整流电路 2.2三相可控整流电路 2.3变压器漏感对整流电路的影响 2.4电容滤波的不可控整流电路 2.5整流电路的谐波和功率因数 2.6大功率可控整流电路 2.7整流电路的有源逆工作状态 2.8晶闸管直流电动机系统 2.9相控电路的驱动控制

4.1交流调压电路 4.2其他交流电力控制电路 4.3交交变频电路 4.4矩阵式变频电路

6.1PM控制的基本原理 6.2PWM逆变电路及其控制方法 6.3PWM跟踪控制技术 6.4PWM整流电路及其控制方法

8.1间接交流变流电路 8.2间接直流变流电路

第1章电力电子器件 第2章整流电路 第3章直流斩波电路 第4章交流电力控制电路和交-交变频电路 第5章逆变电路 第6章脉宽调(PWM)技术

目录 第10章继电接触器控制系统 第10.2节笼型电动机直接起动的控制线路 第10.2.1题 第10.2.3题 第10.4节行程控制 第10.4.1题 第10.4.2题 第10.5节时间控制 第10.5.1题 第10.5.2题