6.4 在恒定磁场中电子的运动 一. 恒定磁场中的准经典运动 二. 自由电子的量子理论 三. 晶体中电子的有效质量近似 四. 回旋共振 五. 霍尔效应 六. De Haas－Van Alphen效应 6.5 能带结构的实验研究 一.软 X 射线的发射与吸收 二.光吸收与磁光吸收 三.回旋共振与Azbel-Kaner 共振 四.反常趋肤效应 五.磁声技术

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰

利用循环伏安法对锂在苯碳黑中的插入过程进行了研究。结果表明,锂在苯碳黑中的首次插入过程伴随着一些不可逆反应,这些不可逆反应是由于电解质溶液中的溶剂化离子的插入引起的。在碳表面也存在的不可逆反应。随着具有石墨结构成分的增加,在碳中有了明显的锂插入反应。经1000℃以上温度处理过的碳黑锂的迁出电位在0.1左右,从而能代替锂作二次锂电池阳极材料

从理论上导出n(≥2)元体系中各中间化合物的自由焓之间的关系通式,并据此得出各化合物的自由焓随组元摩尔分数的变化规则:在二元系中应符合拟抛物线规则;在三元系中应符合拟抛物面规则;对于四元以上的体系,一般来说,已无法用几何方法来描述其变化规则

采用交流阻抗技术,研究钝化304不锈钢单晶体在pH1.0,0.25mol/lNa2SO4含氯介质中的孔蚀行为。对孔蚀过程中的阻抗频谱特征进行了分析,提出孔蚀的发生和发展过程中都有复合物(MOHC1)形成。复合物进一步吸附更多的氯离子,导致溶解反应发生。并提出一个孔蚀的的反应机理模型,它与304不锈钢多晶体在硫酸含氯介质中的孔蚀机理没有本质的差别

研究了不同稀土含量铁铬铝合金,在高温下晶粒长大及界面结构。结果表明:在1200℃以上高温,稀土组元(以La为主)对抑制合金的晶界长大有一定效果,La2O3可作为TiN相析出的形核中心,细小TiN质点可在晶界上出现,阻碍晶界迁移;在变温过程中,La向界而扩散,在晶界以La2O3形式出现,同时稀土加速氧穿过氧化膜向基体中渗透,导致Al2O3及La2O3在基体中形成

Kim B.Bruce于1978年提出了三价逻辑L(Q)的逻辑公理系统。H.J.Keisler在1971年发表了无穷逻辑中的模型论一书,提出了无穷逻辑的公理系统,文中结合上述两种逻辑系统的思想,应用了无穷逻辑中的模型论一书中介绍的和谐性质的方法,建立了无穷逻辑中的二阶语言Lw1w(Q)的公理系统及模型理论。这部分主要是对Lw1w(Q)中的省略型定理及素模型定理的证明

本文提出了用轧钢废酸处理高锰酸钾生产过程中产生的废渣—锰泥—制取工业级碳酸锰的方法。其流程可分为三段:（1）还原浸出与沉铁;（2）浸出液的净化;（3）工业级碳酸锰的制备。 在第一段中,只要控制好轧钢废酸中的[H+]/[Fe2+]比就可使浸出、沉铁同时进行,使沉铁的碱用量大大减少,加Na2S除去浸出除铁液中其它重金属。用NH4HCO3制取MnCO3避免水中Ca2+带入MnCO3。所得碳酸锰符合工业级碳酸锰部颁标准的要求

湖北中医药大学：流式细胞术原理及在中医药研究中应用简介（PPT课件讲稿）

本工作应用放射性同位素90Y,通过将试样在低温有机电解液中电解的方法分离稀土夹杂物,测定了铁液中溶解态的稀土含量。用ZrO2（MgO）固体电解质组成的定氧测头测定了铁液中氧的活度。用硫化氢气体发生法测定并计算了铁液中溶解态的硫含量。由此得出1560～1660℃范围内Y—O平衡常数与温度的关系式以及1600℃下Y—S平衡常数值,并测定了Y对O,Y对S的活度相互作用系数eOY、eSY及其它有关热力学数据