将自旋核放入磁场中,用适宜频率的电磁 波照射,它们会吸收能量,发生原子核能 级的跃迁,同时产生核磁共振信号,得到 核磁共振谱,这种方法称为核磁共振波谱 法。(NMR, nuclear magnetic resonance spectroscopy）

在最近3年的考试中,本章的平均分值为10分,2004年的分值为12分。在学习本章时要注 意两方面的结合:(1)在简答题和综合题中往往将票据法律制度与合同法律制度相联系考 核,因为合同价款结算是合同履行的重要环节,而合同价款结算又与票据法律制度的规定密 切相关

第六节辅助设备的选择计算 一、中间冷却器的选型计算 (一)桶径的选型计算 桶径计算的目的是使中间冷却器桶体内制冷剂气体的流速保持在 0.5m/s,从而使低压级排出的过热气体冷却为饱和气体,所挟带的润滑油得 到分离,其计算公式为:

第一节蛋白质通论 一、蛋白质的元素组成 二、蛋白质的分类 三、蛋白质的生理功能 第二节氨基酸 一、氨基酸的结构通式 二、氨基酸的分类、按极性分 三、必需氨基酸 四、蛋白质中的稀有氨基酸 五、非蛋白质氨基酸 六、氨基酸的性质 第三节蛋白质的结构 一、蛋白质的一级结构 二、蛋白质的二级结构 三、蛋白质的三级结构 四、蛋白质的四级结构 第四节蛋白质的性质 一、蛋白质的两性解离及等电点(pI) 二、蛋白质的胶体性质 三、蛋白质的沉淀作用 四、蛋白质的变性作用(denaturation)

一、狭义的工具变IV) 二、间接最小二乘法(ILS) 三、二阶段最小二乘法(2SLS) 四、三种方法的等价性证明 五、简单宏观经济模型实例演示 六、主分量法的应用 七、其它有限信息估计方法简介 八、k级估计式

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绪论 第一章 半导体二极管和三极管 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 第二章 基本放大电路 §2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 晶体管放大电路的三种接法 §2.6 场效应管及其基本放大电路 §2.7 基本放大电路的派生电路 第三章 多级放大电路 §3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级 §3.5 直接耦合多级放大电路读图 第四章 集成运算放大电路 §4.1 概述 §4.2 集成运放中的电流源 §4.3 集成运放的电路分析及其性能指标 第五章 放大电路的频率响应 §5.1 频率响应的有关概念 §5.2 晶体管的高频等效电路 §5.3 放大电路的频率响应 第六章 放大电路中的反馈 §6.1 反馈的概念及判断 §6.2 负反馈放大电路的方框图及放大倍数的估算 §6.3 交流负反馈对放大电路性能的影响 §6.4 负反馈放大电路的稳定性 §6.5 放大电路中反馈的其它问题 第七章 信号的运算和处理 §7.1 集成运放组成的运算电路 §7.2 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 §7.3 有源滤波电路 第八章 波形的发生和信号的转换 §8.1 正弦波振荡电路 §8.2 电压比较器 §8.3 非正弦波发生电路 §8.4 信号的转换 第九章 功率放大电路 §9.1 概述 §9.2 互补输出级的分析计算 第十章 直流电源 §10.1 直流电源的组成 §10.2 单相整流电路 §10.4 稳压管稳压电路 §10.5 串联型稳压电路 §10.6 开关型稳压电路 §10.3 滤波电路

6.1 化学动力学的任务和目的 化学热力学的研究对象和局限性 化学动力学的研究对象 化学动力学发展简史 6.2 化学反应速率表示法 反应速度与速率 平均速率 瞬时速率 反应进度 转化速率 反应速率 6.3 化学反应的速率方程 速率方程 基元反应 质量作用定律 总包反应 反应机理 反应分子数 反应级数 准级数反应 反应的速率系数 6.4 具有简单级数的反应 一级反应 二级反应 三级反应 零级反应 n级反应 积分法确定反应级数 孤立法确定反应级数 半衰期法确定反应级数 微分法确定反应级数

应用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDX)对CSP工艺含钛耐候钢中的细小磷化物进行了研究.对成品钢板和经900℃压缩20%并等温30min的连铸坯分析结果表明:耐候钢中存在MxP型纳米级磷化物,x值为2～3,金属元素M为Fe、Ti及少量Cr或Ni,磷化物的结构为六方晶系,点阵常数a=0.609nm、c=0.351nm;成品钢板中磷化物尺寸多在20nm以下,而经过900℃压缩的连铸坯试样中磷化物的尺寸、形状不尽相同,较大的棒状磷化物长约300nm、宽约50nm,其他粒子在50nm以下,多呈方形.CSP工艺生产线中可能发生磷化物沉淀的阶段是热连轧的最后两个道次直至冷却到400～500℃的过程中;磷化物的析出可提高沉淀强化效果,但同时会使钢中的固溶磷浓度降低

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项