§ 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3双极型晶体管 § 1.4场效应管

§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管

1.1半导体的基本知识 1.2半导体二极管 1.3半导体三极管 1.4BJT模型 1.5场效应管

§4.1 场效应晶体管(FET) § 4.1.1 结型场效应管 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（MOS) § 4.1.4 场效应管的参数和型号 §4.2 场效应放大电路

能带理论是目前研究固体中电子运动的一个主要理论基础在二十世纪二十年代末和三十年代初期, 在量子力学运动规律确立以后,它是在用量子力学研究金属电导理论的过程中开始发展起来的.最 初的成就在于定性地阐明了晶体中电子运动的普遍性的特点

1、掌握二进制、八进制、十进制、十六进制数的组成及其相互转换，了解常用BCD码； 2、掌握逻辑代数的基本定理和常用公式，并能进行逻辑函数的化简与变换； 3、理解与门、或门、非门、与非门和异或门的逻辑功能，了解 TTL 与非门及其电压传输特性和主要参数，了解 CMOS 门电路的特点，了解三态门的概念

6.1.6 已知某时序电路的状态表如表题 6．1，6 所示，输人为 A，试画出它的状态图。如果 电路的初始状态在 b，输人信号 A 依次是 0、1、0、1、1、1、1，试求其相应的输出

6.1集成电路运算放大器中的电流源 6.2差分式放大电路 6.3集成电路运算放大器 6.4集成电路运算放大器主要参数

§1 简单电压比较器 §2 施密特触发器－迟滞比较器 §3 窗口比较器 §4 方波发生器

一、频率响应的基本概念 1 频率响应和通频带 在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化 、的稳态响应,称为放大电路的频率响应