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一、填空题(每空 1 分,共 10 分) 1. 二极管的主要电气特性为_________。 2. 三极管若发射极正偏,集电极也正偏时,此时三极管处在_________工作状态
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一、填空题(每小题 1 分,共 10 分) 1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路,将 IEQ 增大,rbe将___________。 3.集成功放 LM386,共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
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本书主要概述国际投资的基本理论和实务知识,系统分析国际投资的产生和发展,国际直接投资理论、国际投资环境、国际投资风险管理、国际直接投资企业的设立、国际投资与跨国经营、中国的引进外资与海外投资、国际证券投资的营运分析与证券市场的管理,以及各国证券市场的经营特点等等内容。全书结构严谨,内容丰富,适合大专院校涉外经济贸易专业作为教学用书,也可用作参加国际商务资格考试,高教自学考试以及干部培训提高的读物
文档格式:PDF 文档大小:2.13MB 文档页数:614
第一篇古代西方法律思想第二篇中世纪的法律思想第三篇17、18世纪资产阶级的法律思想第四篇19世纪资产阶级的法律思想第五篇20世纪欧美国家的法律思想
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其代号写在题干后的括号内。答案选错或未选者,该题不得分。每小题1分,共15分) 1.逻辑数据独立性是指() A.模式变,用户不变 B.模式变,应用程序不变 C.应用程序变,模式不变 D.子模式变,应用程序不变
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题1分,共10分) 1.要保证数据库的数据独立性,需要修改的是() A.三层模式之间的两种映射 B模式与内模式 C模式与外模式 D三层模式
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一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
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一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
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