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文档格式:PDF 文档大小:4.34MB 文档页数:5
高硫尾矿配制成的膏体表现出不同程度的强度劣化,高硫膏体强度劣化能引起充填体质量的巨大变化.通过不同硫含量的膏体强度劣化实验,同时结合X射线衍射物相分析和环境扫描电镜分析,对高硫膏体的劣化规律和劣化机理进行了分析.得出含硫尾矿在一定程度上能促进膏体早期强度增长,却抑制了后期强度发育,硫含量越高,膏体后期强度劣化越显著.硫化物氧化生成的硫酸盐能促进膨胀性钙矾石和石膏类物质的生成.同时酸性环境造成了C-S-H的脱钙和CH的分解,已形成的胶凝体系遭到破坏,进一步促进了充填体的劣化.通过孔隙计算模型对晶体膨胀应变和裂纹发育过程进行了分析,阐述了膨胀性物质的线弹性应变发育机理
文档格式:DOC 文档大小:155KB 文档页数:3
上机习题要求: (1)习题1、2为必做题,习题3、4选做其中之一,习题5、6选做其中之一。 (2)独立完成4个上机题,并完成一份分析报告。分析报告中要对所计算的问题和建模过程做简要分析,以图表形式分析计算结果。 (3)上交分析报告和4个上机题的日志文件(*og文件),不要提交.db文件,日志文件要求清楚、简洁。上述文件上传到指定的ftp服务器
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上机习题要求: (1)习题1、2为必做题,习题3、4选做其中之一,习题5、6选做其中之一。 (2)独立完成4个上机题,并完成一份分析报告。分析报告中要对所计算的问题和建模过程做简要分析,以图表形式分析计算结果。 (3)上交分析报告和4个上机题的日志文件(*.log文件),不要提交.db文件,日志文件要求清楚、简洁。上述文件上传到指定的ftp服务器
文档格式:PPT 文档大小:9.87MB 文档页数:44
理植物生长到一定阶段就会开花,植物开花是茎顶端分生组 织分化形成花芽的结果,是由营养生长转入生殖生长的标 志,自然条件下各种植物都是在固定的季节内进行。茎顶端分生组织 分化可以形成花芽,也可以形成叶芽,究经向哪个方向发展,决定于 植物的内部因素和环境条件。温度、日照长短、营养状况和植物激素 都能影响植物花的形成、开放和性别分化。低温能诱导花芽分化,促 使植物开花,称春化作用。植物开花受光照时间的制约,每天昼夜长 短影响植物开花的现象称光周期 现象。植物体内产生开花刺激物, 经过传递到达特定部位发挥作用。 光周期现象在农业生产上已经得 到广泛的应用
文档格式:PPT 文档大小:438.5KB 文档页数:24
多元分析讨论多变量(多指标)问题,由于变量较多,增加了问题的复杂性。但在许多实际问题中我们经常发现变量之间有一定的相关性,人们自然希望用较少的变量来代替原来较多的变量, 且使这些较少的变量尽可能地反映原来变量的信息。将这种思想引入统计学,就产生了主成分分析,典型相关分析等。下面只介绍主成分分析
文档格式:PDF 文档大小:6.45MB 文档页数:11
采用现有的双P型辐射管进行燃烧实验,并进行相应的CFD仿真对比,结果显示NOx体积分数的数值计算与试验结果误差最大为3.6%,其他参数的偏差均在1%以内.将空气分级的理念应用于双P型辐射管,设计一种带支管的分区分级燃气辐射管,并对其流动和传热特性进行仿真研究.结果表明:支管通入空气量占总空气量的25%时,辐射管壁面温差最大,热效率最高;支管通入燃气量为20%时,辐射管壁面温差最小,壁面温度均匀性最好;支管以相同空燃比同时通入空气和燃气,且支管通入空燃气量为总燃气量的25%时,整个辐射管内气体温度分布最均匀;支管通入空燃气量占总气体量从5%增加到35%的过程中,壁面温差先降低后缓慢增加,支管通入燃气量为20%时辐射管壁面温差最小
文档格式:PPT 文档大小:2MB 文档页数:109
第七章正弦稳态分析 7.1正弦量 7.2正弦量的相量表示法 7.3正弦稳态电路的相量模型 7.4阻抗和导纳 7.5正弦稳态电路的相量分析法 7.6正弦稳态电路的功率 7.7三相电路 7.8非正弦周期电路的稳态分析
文档格式:DOC 文档大小:86KB 文档页数:6
发型在修剪时,先把头发清洗干净,然后进行分区。两侧分两个区,脑后沿中线分两个区,分四区。然后以导线定 位确定头发的长短,头发自然向下梳理。左手食指和中指夹住头发按分区发束逐层放下去修剪,直到最后修剪完成
文档格式:PDF 文档大小:1.12MB 文档页数:10
通过物理—化学相分析及其它物理手段对经900℃不同时间时效的GH220合金的渗铝层进行了逐层相分析。用联立方程分别求出离表面不同深度范围内β—NiAl相γ′相的含量。通过修正比重,对取层厚度进行了合理计算。提供了渗铝层中相变趋势。本文把计算过程全部编成程序。对微处理机在相分析中的运用作了初步尝试
文档格式:PPT 文档大小:817.5KB 文档页数:46
6二阶电路分析 6-1RLC串联电路的零输入响应 6-2RLC串联电路在恒定激励下的零状态响应和全响应 6-3GCL并联电路分析 6-4一般二阶电路分析
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