9-2电容电容器 一、孤立导体的电容

一、基本要求 1. 掌握毕奥—萨伐尔定律，并会用该定律计算载流导体的磁场 2. 掌握用安培环路定理计算磁场强度的条件和方法 3. 掌握安培定律和洛仑兹力公式，会计算简单形状截流导体的磁力 4. 理解磁介质中的安培环路定理，理解磁场强度的概念

1 一导体球体半径为R1，外罩一半径为R2 的同心薄导体球壳，外球壳所带总电荷Q， 而内球的电势为V0 ，求此系统的电势和电 场分布

一、超导体的转变温度 二、超导体的主要特性

导体 conductor 静电感应 electrostatic induction 静电平衡 electrostatic equilibrium 静电屏蔽 electrostatic screening 击穿 breakdown 击穿场强 breakdown field strength 尖端放电 point discharge

（1）稳恒磁场中的导体运动 ，或者回路面积变化、取向变化等动生电动势。 （2）导体不动，磁场变化感生电动势引起磁通量变化的原因

6-0教学基本要求 6-1静电场中的导体 6-2静电场中的电介质 6-3电位移有介质时的高斯定理 6-4电容电容器 6-5静电场的能量和能量密度

1911 年荷兰物理学家昂内斯(H.R.Onnes)在研究水银在低温下的电阻时，发现当温 度降低至 4.2K以下后，水银的电阻突然消失，呈现零电阻状态。昂内斯便把这种低温下 物质具有零电阻的性能称为超导电性。1933 年迈斯纳(W. Meissner)和奥克森菲尔德(R. Ochsenfeld)发现，不仅是外加磁场不能进入超导体的内部，而且原来处在外磁场中的正 常态样品，当温度下降使它变成超导体时，也会把原来在体内的磁场完全排出去。到 1986 年，人们已发现了常压下有 28 种元素、近 5000 种合金和化合物具有超导电性

3 . 1 辅助位和辅助位方程 3 . 2 介质中的静态场—辅助场量方程 3 . 3 导体中的静态场—稳恒电流场和稳恒电场方程 3 . 4 静态场中的导体 3 . 5 静态场的边界条件 3 . 6 静态场的能量 3 . 7 静态场的计算方法 3 . 8 静态场的应用

2.1 静电场中的导体 2.2 静电场的唯一性 2.3 尖端效应 2.4 电容和电容器 2.5 静电场的能量