1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定

一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算：

1.学习电子电路实验中常用的电子仪器一示波器（DS5022M）、函数信号发生器（YB1600）、在流稳压电源、交流毫伏表（YB2172）、频率计等的主要技术指标、性能及正确使用方法。2.学会用常用电子仪器测量放大器的基本参数（输入电阻、输出电阻、放大倍数）。3.学会用示波器观察放大器的输入、输出波形，并分析失真情况

1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.4特殊二极管 1.5双极型半导体三极管 1.6场效应管

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

第1章体器 1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.4特殊二极管 1.5双极型半导体三极管 1.6场效应管 小结

重点：讨论影响放大电路频率响应的因素、研究频率响应的必要性、求解单管放大电路下限频率、上限频率和波特图的方法、多级放大电路的频率参数与各级放大电路频率参数的关系。难点：如何理解在分析下限频率时结电容相当于开路,而分析上限频率时将耦合电容和旁路电容相当于短路；为什么截止频率决定于电容所在回路的时间常数；如何求解电容所在回路的等效电阻；如何根据波特图写出放大倍数的表达式和根据放大倍数的表达式画出波特图等等

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

放大器概述 放大器的一般描述 分析放大器的一般方法 晶体管单管放大器 单管放大器的一般结构 单管放大器的分析方法 单管放大器的频率特性 单管放大器的比较 双管组合放大器  双管组合放大器的特点： 发挥基本放大器的优点，避免其缺点  双管组合电路的基本形式： 共射-共基电路和共源－共栅电路 共集-共集电路 共集-共射电路 共集-共基电路 复合管 多级放大器的级间耦合方式  直接耦合  阻容耦合  变压器耦合

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