3.1 电磁场基础 3.2 有限元法—稳态场 3.2 有限元分析—稳态场 3.3 有限元法—稳态场 3.4 有限元法—瞬态场

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零

1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件

1.电感器（电感线圈）：储存磁场能的器件。 总磁通称磁链：ψ(t)=Nφ 是磁链与电流相约束的器件

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性

6.1 存储器 6.1.1 ROM (Read-Only Memory) 6.1.2 随机存取存储器 (RAM) 6.2 可编程逻辑器件（PLD) 6.2.1 可编程阵列逻辑(PAL) 6.2.2 通用阵列逻辑(GAL) 6.2.3 PLD的开发过程 6.3 VHDL语言 6.3.1 VHDL基本结构与语法 6.3.1.1 VHDL的组成 6.3.1.2 实体（Entity) 6.3.1.3 结构体 (Architecture) 6.3.1.4 程序包 (Package) 与 USE 语句 6.3.1.5 库 (Library) 6.3.1.6 VHDL运算符 6.3.1.7 数据对象 6.3.1.8 VHDL常用语句 6.3.1.9 元件及元件例化 6.3.1.10 配置 (configuration) 6.3.1.11 子程序 6.3.1.12 其他：属性、时钟的表示 6.3.1.13 VHDL的模板 6.3.1.14 常见错误 6.3.1.15 保留字

生物传感器 Biosensor概述 1.定义 传感器—能感受(或响应)一种信息并变换成可 测量信号(一般指电学量)的器件。 生物传感器—将生物体的成份(酶、抗原、 抗体、激素)或生物体本身(细胞、细胞器 、组织)固定化在一器件上作为敏感元件的 传感器称为生物传感器

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结