6.1 数字滤波器的基本概念 6.2 模拟滤波器的设计 6.3 用脉冲响应不变法设计IIR数字低通滤波器 6.4 用双线性变换法设计IIR数字低通滤波器 6.5 数字高通、带通和带阻滤波器的设计 6.6 IIR 数字滤波器的直接设计法

实验一 脉冲振幅（PAM）调制与解调系统实验 实验二 脉冲编码(PCM) 调制与解调系统实验 实验三 码型变换AMI/HDB3实验 实验四 移相键控PSK调制与解调实验 实验五 移频键控FSK调制与解调系统设计实验 实验六 数字通信系统综合实验

5.1 概述 5.2 脉冲编码调制PCM 5.3 模拟信号的抽样 5.4 抽样信号的量化 5.5 量化信号的编码 5.6 PCM系统的抗噪声性能 5.7 差分脉冲编码调制DPCM 5.8 增量调制DM 5.9 PCM信号的时分复用和复接 5.10 帧同步

1. 脉冲编码调制PCM 2. 预测编码——DPCM、ADPCM、DM 3. 时分复用 4. 信源编码

6.1.1 常用脉冲波形及参数 6.1 RC电路 6.2.1 用集成门电路构成的施密特触发器 6.2.2 集成施密特触发器 6.1.2 RC电路的应用 6.2 施密特触发器 6.2.3 施密特触发器的应用

介绍了采用伪随机信号相关辨识法获得空间声场脉冲响应的实验方法，并用多种实验对该方法作了验证．还将此方法应用于空间有源噪声控制，取得了满意的结果．

将经过二次活化处理的活性炭材料制作的电极片组装成碳基电化学电容器.通过恒电流充放电实验,表明其具有良好的电化学充放电性能——活性物质的比容量为173.2F/g.恒功率充放电实验证明该电容器在大功率充放电条件下活性物质的能量密度大于5.0W·h/kg.电化学电容器与镍氢电池组成的复合电源系统具有优良的脉冲充放电特性,脉冲性能与镍氢电池相比有明显的提高,可以应用于GSM,CDMA移动通讯系统.初步探讨了高电压型电容器的制备工艺,并组装了具有10V工作电压的实用型电容器

本文采用非线性参数估计方法来确定硬硅钙石型微孔硅酸钙绝热材料的热扩散率.首先将绝热材料夹在两个金属片之间制成夹层结构试样，采用激光脉冲法测量试样背面温升；然后通过理论温升曲线与实验测得的温升曲线的拟合，来估计绝热材料的热扩散率.采用非线性参数估计可同时估计出热扩散率、散热系数以及试样吸收的能量.通过实验确定出进行热扩散率测量的绝热材料最佳厚度为1.6～1.9mm；由试样厚度精度和接触热阻所引起的测量误差在5.8%以内

采用振动式电脉冲沉积装置在Cr5Mo钢表面沉积了厚度达100μm的铝化物微晶涂层.在沉积涂层的过程中,铝电极与工件瞬时接触放电,产生很高的温度,形成了铁铝金属间化合物涂层;电极瞬时分离,涂层迅速冷却,获得了微晶结构,而且涂层与基体具有冶金结合.600℃空气中氧化200h,600℃流动的99.98%SO2气氛中硫化50h的实验结果和SEM,XRD分析结果表明,沉积铝化物做晶涂层后Cr5Mo钢的抗氧化、硫化性能均得到大幅度提高

在镍盐溶液中利用脉冲放电技术制备出Ni-P合金粉体,并用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及差热分析(DTA)等手段研究非晶粉体的晶化行为和组织结构特征.结果表明:Ni-P合金粉体形貌为链枝状,径向可达500nm左右,长度可达数微米.制备的合金粉体为非晶态结构,在280℃以下热处理时没有改变非晶态结构:在300℃开始晶化,析出亚稳相Ni5P2和Ni12P5;在320℃开始析出稳定相Ni和Ni3P;温度升高到400℃时,亚稳相消失.采用Kissinger公式计算出该合金粉体的晶化激活能为291.76kJ·mol-1