5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

一.d 轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的基础和来源） 二.过渡金属配合物的电子光谱，O大小的表征―电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱），T―S图 三.电荷迁移光谱（charge transfer,CT光谱）

一.d 轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的基础和来源） 二.过渡金属配合物的电子光谱，O大小的表征―电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱），T―S图 三.电荷迁移光谱（charge transfer,CT光谱）

1. 桥形接线 (1) 内桥接线 适合于线路长，线路故障率高，而变压器不需要经常操作的场合。 (2) 外桥形接线 适合于输电距离短，线路故障机会较少，而变压器需要经常操作的场合

一d轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱,Δ大小的表征电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱),T—S图 三电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)

以半固态AZ91D镁合金浆料的流变性能的实验研究为基础，通过曲线拟合的方法建立半固态AZ91D镁合金的表观粘度的触变模型.根据此触变模型开发了半固态AZ91D镁合金触变压铸充型过程中的表观粘度计算程序，并嵌入在Castsoft软件中，实现了半固态AZ91D镁合金触变压铸过程的流场和温度场的模拟计算.模拟结果表明：充填速度和浆料温度对半固态AZ91D镁合金浆料的充填过程有显著影响，最佳充填速度的范围为2～5m·s-1，半固态浆料的最佳温度范围为570～580℃

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

针对碳钢在连铸结晶器内的凝固过程,考虑铸坯和铜板间接触状态,建立了完全热力耦合的二维热-弹塑性有限元模型.利用MARC商用软件包在微机上求解,模拟出了连铸结晶器区域热和力学状态,特别是铸坯和结晶器壁界面状态,包括铸坯表面温度、界面热流和气隙分布规律等.本模拟工作可以为优化结晶器锥度,开发高拉速曲面结晶器提供理论依据和技术基础

基于通用有限元软件ANSYS建立了某大型铝电解槽结构的三维实体模型和热应力场耦合分析的有限元模型.考虑材料非线性和接触非线性的基础上对电解槽结构强度进行了仿真计算,给出了槽壳和摇篮架的应力、应变云图,分析了电解槽结构的变形规律,并提出了结构优化的途径.以槽壳近似弹性体为目标,对不同组合载荷工况进行了反算,得出与实际更接近的荷载条件

1.1PN结及二极管 1.2半导体三极管 1.3半导体场效应管 1.4场集成运算放大器