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清华大学:《VLSI设计导论》第三章 器件设计技术
文档格式:DOC 文档大小:1.16MB 文档页数:14
第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用
《土木工程地质学》课程PPT教学课件(讲稿)第一章 岩石 rock(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:1.06MB 文档页数:21
地壳(crust):由固体岩石构成,平均厚度16km, 分硅铝层(花岗岩层)和硅镁层(玄武岩层) 地幔(mantle):上地幔是熔融状态物质,可能是 岩浆的发源地;下地幔主要是由铁镁氧化物和 硫化物组成。 地核(core):由比重较大的铁镍合金组成,平 均密度大于10g/cm3。外核是液态的,内核是固 态。 地壳运动主要起因于地幔物质的对流
广东石油化工学院(茂名学院):《精细及高分子化工基础》课程教学资源(试题)试题A答案
文档格式:DOC 文档大小:39KB 文档页数:3
一、概念 烃化:烃化指的是在有机分子中的碳硅氮磷氧和硫等原子上引入烃基 的总称。 酯化反应:醇或酚分子中的羟基氢原子被酰基取代而生成酯的反应, 叫酯化反应
云南大学:《有机化学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十六章 元素有机化合物
文档格式:PPT 文档大小:620.5KB 文档页数:29
1、讨论锂、硼、硅及过渡元素的有机化合物。 2、结合前面已学过的有关镁、磷、硫等元素有机化合物的知识,使我们对元素有机化学有一个初步的认识
《半导体物理习题》第二章 半导体中的杂质和缺陷能级
文档格式:DOC 文档大小:38KB 文档页数:1
例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径
《水质分析手册》HZHJSZ00147 水质二氧化硅的测定硅钼黄光度法
文档格式:PDF 文档大小:17.77KB 文档页数:2
1范围 本方法最低检出浓度为0.4mg/L,测定上限为25mg/L二氧化硅。 测定最适宜浓度范围为0.4~20mg/L适用于天然水样分析,也可用于一般环境水样分析。 色度及浊度干扰测定,可以采用补偿法(不加钼酸铵的水样为参比予以消除
厦门大学化学:《分析化学》课程电子教案(PPT教学课件)第三章 酸碱平衡与酸碱滴定 3.9 酸碱滴定法的应用
文档格式:PPT 文档大小:715.5KB 文档页数:12
3.9.1 酸碱标准溶液的配制与标定(自学) 3.9.2 酸碱滴定法的应用实例 混合碱的测定(双指示剂法) 混合碱的测定(BaCl2 法) 纯碱的测定 未知成分混合碱的测定 混合酸的测定 氮含量的测定 磷的测定(自学) 硅的测定 (自学 )
西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十二章 淀积
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
华中科技大学:《机电传动控制》课程教学资源(讲义)第八章 电力电子学——可控硅及其基本电路
文档格式:PDF 文档大小:392.91KB 文档页数:32
晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件,它是一种可控制的硅整流元件,亦称可控硅
《教师口语》习题二十九
文档格式:DOC 文档大小:21KB 文档页数:1
一、读单音节字词 100 个(限时 3.5 分钟,共 10 分) 院 碑 墙 告 翁 罪 法 邹 榻 尺 丈 涌 从 费 兄 籽 涮 砣 哼 否 冻 苗 定 草 恩 阔 笙 索 并 淋 埠 扯 讯 如 犬 硅 踹 伪 六 轴 秧 二 修 女 厅 垮 舜 司 劲 曾 沈 暗 群 坡 言 瞥 枕 虐 俩 降
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