1.1半导体的基础知识,P型硅,N型硅 1.2PN结及半导体二极管 1.3稳压二极管 1.4半号三

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

在分析水口堵塞的基础上,结合马钢三炼钢生产实际,采用正交实验法研究了钙处理的喂线速度、喂线量和中间包水口内径对140mm×140mm小方坯连铸低碳低硅高酸溶铝钢水口堵塞的影响.结果表明,提高喂线速度、加大喂线量和增加水口内径可避免水口的堵塞.采用以上工艺,连浇炉数达8~10炉,且铸坯内部和表面质量良好

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

1．了解 p 区元素的特点； 2．了解 p 区元素的存在、制备及用途； 3．掌握重点元素硼、铅、碳、硅、氮和磷的单质及其化合物的性质，会用结构理论和热力学解释它们的某些化学现象； 4．从正硼烷的结构了解缺电子键和硼烷结构； 5．了解一些无机材料的制备和用途； 6．了解惰性电子对效应概念及其应用。 13.1 第13、14、15族元素概述 Generality of the groups 13-15 elements 13.2 硼 Boron 13.3 铝 Aluminum 13.4 碳 Carbon 13.5 硅 Silicon 13.6 氮 Nitrogen13.7 磷 Phosphorus 13.8 长周期元素的重要化学现象及重要反应 The important chemical phenomenons & reactions of long -period elements

人教版高中化学必修1第四章　非金属及其化合物第一节　无机非金属材料的主角――硅课件(4)

人教版高中化学必修1第四章　非金属及其化合物第一节　无机非金属材料的主角――硅课件(2)

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

12.2 碳、硼、硅及其化合物 12.7 氮及其化合物 12.8 磷及其化合物

针对我国高炉的检测水平,采用人工神经网络的方法建立了一种用于铁水含硅量预报的神经网络模型。该模型具有良好的适应性和自学习功能