例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

1范围 本方法最低检出浓度为0.4mg/L,测定上限为25mg/L二氧化硅。 测定最适宜浓度范围为0.4~20mg/L适用于天然水样分析,也可用于一般环境水样分析。 色度及浊度干扰测定,可以采用补偿法(不加钼酸铵的水样为参比予以消除

3.9.1 酸碱标准溶液的配制与标定（自学） 3.9.2 酸碱滴定法的应用实例 混合碱的测定（双指示剂法） 混合碱的测定（BaCl2 法） 纯碱的测定 未知成分混合碱的测定 混合酸的测定 氮含量的测定 磷的测定（自学） 硅的测定 (自学 ）

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控硅

一、读单音节字词 100 个（限时 3.5 分钟，共 10 分） 院 碑 墙 告 翁 罪 法 邹 榻 尺 丈 涌 从 费 兄 籽 涮 砣 哼 否 冻 苗 定 草 恩 阔 笙 索 并 淋 埠 扯 讯 如 犬 硅 踹 伪 六 轴 秧 二 修 女 厅 垮 舜 司 劲 曾 沈 暗 群 坡 言 瞥 枕 虐 俩 降

导体：自然界中很容易导电的物质称为导体， 金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体， 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和 绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、 砷化镓和一些硫化物、氧化物等

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?