目录 第10章继电接触器控制系统 第10.2节笼型电动机直接起动的控制线路 第10.2.1题 第10.2.3题 第10.4节行程控制 第10.4.1题 第10.4.2题 第10.5节时间控制 第10.5.1题 第10.5.2题

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

一、电荷的量子化 1种类:正电荷,负电荷 2性质:同种相斥,异种相吸 3单位:库仑(C) 4电荷的量子化:

共集电路如图5―13(a)所示。这里，我们有意将基 区体电阻rbb′拉出来，并将Cb′c及Cb′e这两个对高频响应 有影响的电容标于图中。与共射电路对比，我们有理 由说，共集电路的高频响应比共射电路要好得多，即 f H(CC)>>f H(CE)

第一章基本知识 透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、扫描透射电镜(stem、超高压电镜(UHVEM 第一节透射电镜 一、基本构造 (一)电子光学系统1电子抢2磁电子透镜3样品室4观察记录装置5真空系统

按照Ri的定义，在图2―33(b)电路的输 入端加一电压Ui，这时，从输入端看进去的电 阻为RB ‖rbe，因此Ri= RB

第4章集成运算放大电路 4-1概述 4-2集成运算放大电路的线性应用 4-3集成运算放大电路的非线性应用

1 电能质量的基本概念 2 系统中电能质量实例 3 电能质量的预防维护 4 问与答

11-1二端口网络 11-2二端口网络的方程与参数 11-3二端口网络的等效电路 11-5二端口网络的连接 12-1解析法 12-2图解法 12-4小信号分析法

(1) 拉普拉斯变换的基本原理和性质 (2) 掌握用拉普拉斯变换分析线性电 路的方法和步骤 (3) 电路的时域分析变换到频域分析 的原理