一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第一节 现代价键理论 第二节 轨道杂化理论 第三节 价层电子对互斥理论 第四节 分子轨道理论 第五节 离域π键 第六节 分子间作用力和氢键 第七节 原子晶体和分子晶体

X射线定性相分析，就是将所测得的未知物相的衍 射谱与粉末衍射文件中的已知晶体结构物相的标准 数据相比较 (这可通过计算机自动检索或人工检索 来进行)，运用各种判据以确定所测试样中含哪些物 相，各相的化学式，晶体结构类型，晶胞参数等， 以便进一步利用这些信息

§4－1 对称的概念和特点 §4－2 对称操作和对称要素 §4－3 对称要素的组合规律 §4－4 对称型及其推导 §4－5 晶体的分类 §4－6 五次对称轴、二十面体与准晶

密度是决定含能材料爆轰性能的重要参数。为评估现有CHON类含能材料密度的计算方法,对等电子密度面法、分子表面静电势法、基团加和法、晶体堆积法、定量构效关系法、经验公式法等进行分析和归类

绪论 第一章 量子力学基础知识 第二章 原子的结构和性质 第三章 共价键和双原子分子的结构和性质 第四章 分子的对称性 第五章 多原子分子的结构和性质 第六章 配位化合物的结构和性质 第七章 次级键及超分子的结构化学 第八章 晶体的点阵结构和晶体的性质 第九章 金属的结构和性质 第十章 离子化合物的结构化学

2.2.1 价键理论—电子配对理论(VB法) 2.2.2 杂化轨道理论 2.2.3 价层电子对互斥理论 2.2.4 分子轨道理论 2.2.5 共价晶体

第一节 概述 第二节 分析小信号放大器的有关知识 第三节 晶体管高频小信号等效电路 第四节 晶体管谐振放大器 第五节 小信号谐振放大器的稳定性

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

针对移动加热器法(THM)晶体生长特点,在建立适当数学模型的基础上,着重就热物性参数(晶体导热系数、石英透射率)对凝固界面形状和熔区位置的影响进行分析及数值计算,得到一些重要的结论