离子注入是将某一需要注入的化学元素的原子经电离后变成离子，并将其在电场中加速，获得较高的动能后注入到固体材料表面，以改变该材料表面的物理、化学或机械性能的一种技术。在离子注入过程中，具有一定动能的离子射入固体后，就与固体表层内的原子核和电子发生随机碰撞

第一节 弹性 金属的应力-应变曲线 弹性变形 弹性模量的物理意义 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 合金的塑性变形 塑性变形对材料组织和性能的影响 第二节 晶体的塑性变形 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 多晶体变形的特点 细晶强化及其机理 合金的塑性变形 单相固溶体合金的塑性变形 多相合金的塑形变形 冷变形金属的组织与性能 第三节 冷变形金属的回复和再结晶 冷变形金属加热时的组织和性能变化 冷变形金属的回复 冷变形金属的再结晶 再结晶后的晶粒长大 第四节 金属的热变形、动态回复与再结晶 金属的热变形 金属的蠕变 金属的超塑性 第五节 陶瓷晶体的变形 THE DEFORMATION OF CERAMIC CRYSTAL 变形特点 影响变形的主要因素 第六节 高分子材料的变形 POLYMER MATERIALS 热塑性塑料的变形 热固性塑料的变形

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

固体材料在使用过程发生的各种物理化学变化（催化、腐蚀、摩擦、磨损、电子发射、……）是从表面向内部逐渐进行的，过程的进行依赖于表面结构与性质。认识表面结构与性质是研究表面间发生各种相互作用的基础。通常金属在固态下都是晶体。原子按一定几何形状有规则排列。基本排列形式有体心立方、面心立方和密排六方。晶体结构不同，力学和物理性能也不同。晶体结构变化可改变表面的摩擦磨损特性（钴在加热时从密排六方晶格转为面心立方晶格，摩擦因数增大）

介绍在“高分子物理实验”教学中新开设的又一个计算机模拟实验,即应用自编的改进型 四位置模型,模拟二维空间中的自回避行走链和无规行走链,并验算均方末端距和均方回转半径与 聚合度的标度关系,所得结果与 de Gennes的理论符合良好

铁磁共振 微波铁磁共振(FMR)是指铁磁介质处在频率为∫的微波电磁场中,当改变外加恒 磁场H的大小时,发生的共振吸收现象。铁磁共振观察的对象是铁磁介质中的未偶电 子,可以说它是铁磁介质中的电子自旋共振。铁磁共振不仅是磁性材料在微波技术应用 上的物理基础,也是研究其它宏观性能与微观结构的有效手段

5.1 存储器概述 5.1.1 存储器的发展 5.1.2 光盘存储的类型 5.1.3 光存储的特点 5.1.4 光盘的性能参数 5.2 光盘存储的工作原理 5.2.1 光盘驱动器的结构 5.2.2 光盘的读/写原理 5.2.3 光盘的格式 5.2.4 光盘的制作 5.3 CD、VCD、DVD、可擦写光盘 5.3.1 CD 5.3.2 VCD 5.3.3 DVD 5.3.4 可擦写光盘 5.4 其它光存储技术 5.4.1 双光子光学存储 5.4.2 光谱烧孔存储技术 5.4.3 电子俘获光存储技术（ETM） 5.4.4 高密度磁光存储技术

皮革是革制品工业的主要原料,主要用于鞋面、鞋底及服装、箱包等。所以,革制品质量的好坏绝大部分取决于所用原材料一—皮革质量的好坏。评定皮革的质量是通过观感检验,穿用试验、显微结构检验和理化分析检验来综合进行的

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

相变储能技术的发展对于促进新能源开发和提高能源利用效率具有非常重要的意义。相变材料由于具有高储能密度和小体积变化等优势引起了人们的广泛关注。然而，相变材料在固–液相转变过程中易发生液体泄漏而限制了其应用。因此，人们选择用多孔支撑材料来解决相变材料的泄露问题。介孔二氧化硅材料由于具有良好的物理化学稳定性、生物相容性、阻燃性能、低毒性、耐腐蚀性、尺寸可控、表面形貌可调和高比表面积等优点，其作为载体材料能综合提高相变复合物的各方面性能并拓宽相变储能材料的应用空间。对近年来国内外关于介孔二氧化硅载体的孔尺寸、孔结构和孔表面性质对相变材料结晶行为的影响等方面进行了综合分析，并对今后提高介孔二氧化硅相变材料储能效率的研究方法的前景做了展望