第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

1．了解 p 区元素的特点； 2．了解 p 区元素的存在、制备及用途； 3．掌握重点元素硼、铅、碳、硅、氮和磷的单质及其化合物的性质，会用结构理论和热力学解释它们的某些化学现象； 4．从正硼烷的结构了解缺电子键和硼烷结构； 5．了解一些无机材料的制备和用途； 6．了解惰性电子对效应概念及其应用。 13.1 第13、14、15族元素概述 Generality of the groups 13-15 elements 13.2 硼 Boron 13.3 铝 Aluminum 13.4 碳 Carbon 13.5 硅 Silicon 13.6 氮 Nitrogen13.7 磷 Phosphorus 13.8 长周期元素的重要化学现象及重要反应 The important chemical phenomenons & reactions of long -period elements

人教版高中化学必修1第四章　非金属及其化合物第一节　无机非金属材料的主角――硅课件(4)

人教版高中化学必修1第四章　非金属及其化合物第一节　无机非金属材料的主角――硅课件(2)

12.2 碳、硼、硅及其化合物 12.7 氮及其化合物 12.8 磷及其化合物

1基本地质概况 小牛山位于武汉市东湖风景区 鲁磨路西侧、方家湾东南侧,构造 上位于轴向呈近东西向延伸的喻家 山-风筝山向斜南翼,主要出露地层 为下二叠统茅口组薄层硅质岩和中 薄层硅质岩。在露头上可观察到的 构造地质现象主要有:小褶皱、断 层、节理和石香肠构造等

16-1有机硫化合物的分类 16-2硫醇和硫酚 16-3硫醚 16-4磺酸 16-5芳磺酰胺 16-6烷基苯磺酸钠和表面活性剂 16-7离子交换树脂 16-8有机含磷化合物 16-9有机硅化合物

人教版高中化学必修1第四章　非金属及其化合物第一节　无机非金属材料的主角――硅教案

例1.设p型硅(如图7-2),受主浓度N4=10ycm3,试求: (1)室温下费米能级F的位置和功函数 (2)不计表面态的影响,该p型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层?