5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

8.1 放射治疗装置分类 8.2 X线治疗机 8.3 钴-60治疗机 8.4 医用电子直线加速器 8.5 立体定向放射治疗装置γ-刀(Gamma-knife) 8.6 立体定向放射治疗装置X-刀(X-knife)

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1．会分析本章实例中电力电子装置的电路原理。 2．学会电力电子技术电路识图方法。 3．了解电力电子装置在各个领域中的应用

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

第1章半导体器件 1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3半导体三极管 1.4场效应管

第5章集成运算放大器应用电路 5.1集成运算放大器应用基础 5.2集成运放的线性应用 5.3集成运放的非线性应用 5.4集成运放在应用中的实际问题

第12章时序逻辑电路 12.1时序逻辑电路的分析方法 12.2计数器 12.3寄存器

11.1 基本ＲＳ触发器 11.2 时钟控制的触发器 11.3 主从触发器 11.4 集成边沿触发器

10.1 组合逻辑电路的分析与设计 10.2 组合逻辑部件 10.3 竞争与冒险