10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数

 定义：HD, IM, 交调点  MOS管的非线性 单端放大器 差分放大器  双极型晶体管的非线性  负反馈能够减小非线性  运算放大器的非线性  其他非线性和准则

实习一 晶体的目估投影与宏观对称观察 实习二 晶体定向及目估结晶符号 实习四 认识单形 实习四 聚形分析 实习五 矿物的形态及物理性质 实习六 自然元素矿物大类 实习七 硫化物及其类似化合物矿物大类 实习八 氧化物及氢氧化物矿物大类 实习九 岛状及环状硅酸盐矿物亚类 实习十 链状硅酸盐矿物亚类 实习十一 层状硅酸盐矿物亚类 实习十二 架状硅酸盐矿物亚类 实习十三 其他含氧盐矿物 实习十四 卤化物矿物大类

第一章. X射线的性质 1 概述 2 X射线的性质 3 X射线的产生 4 X射线与物质的相互作用 5 物质对X射线的吸收 第三章. 晶体对X射线的衍射 1 衍射的概念 2 劳埃方程式 3 布拉格方程式 4 两种方程式的统一 5 布拉格方程式的意义 6 布拉格方程式和衍射方向 7 能检测到的面网间距范围

本章学习要求： 1. 了解原子核外电子运动的基本特征，明确量子数的取值规律，了解原子轨道和电子云的空间分布。 2. 掌握核外电子排布的一般规律及其与元素周期表的关系。 3. 了解化学键的本质及键参数的意义。 4. 了解杂化轨道理论的要点，能应用该理论判断常见分子的空间构型、极性等。 5. 了解分子间作用力以及晶体结构与物质物理性质的关系。 目录： ➢ 5.1 原子结构的近代概念 ➢ 5.2 多电子原子的电子分布方式和周期系 ➢ 5.3 化学键与分子间相互作用力 ➢ 5.4 晶体结构

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路工作点的稳定 2.5 晶体管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路

第一节 现代价键理论 第二节 轨道杂化理论 第三节 价层电子对互斥理论 第四节 分子轨道理论 第五节 离域π键 第六节 分子间作用力和氢键 第七节 原子晶体和分子晶体

第一讲绪论 第二讲半导体基础知识 第三讲半导体二极管 第四讲晶体三极管 第五讲共射放大电路的工作原理 第六讲放大电路的分析方法 第七讲静态工作点的稳定 第八讲晶体管放大电路的三种接法 第九讲场效应管及其放大电路 第十讲多级放大电路

一、直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、CEQ。 二、对于图2―16所示共射极放大器，其直流通路重画于图2―20(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程：