化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3~10μm可使模具寿命提高3~4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950~1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv1≈20000N/mm2,基体尺寸变化在万分之五以内

研究GH720Li合金经标准热处理（1105℃,4 h→油冷＋650℃,24 h→空冷＋760℃,16 h→空冷）后分别在720℃时效0~5000 h和800℃时效0~1000 h后γ!强化相的演变规律.合金在720℃,5000 h时效后一次γ＇相的尺寸、形态以及数量基本不发生变化;在720℃,200 h时效后,二次γ＇相发生明显粗化;500 h后出现不均匀长大.相应地,500 h前硬度下降速率大,500 h后趋于平稳.在800℃,500 h时效后,一次γ＇相发生粗化;800℃,100 h时效后,二次γ＇相发生明显粗化且不均匀长大.500 h前硬度下降斜率很大,500 h后硬度仍有明显下降趋势.720℃及800℃时二次γ＇相粗化行为是以扩散控制的粗化机制为主导.γ＇相平均半径与时效时间满足立方根关系,符合L-S-W（Lifshiz-Slyozov-Wanger）理论

大家都知道软盘有一些致命的技术缺陷, 例如容量过小、数据很容易丢失、读取速度 , 慢等简直是举不胜举。与软盘一样,硬盘也 是磁介质产品,但硬盘本身内部真空,而且 磁头读取时悬浮,不与磁碟接触,因此磁碟 的密度、转速、介质材料等都可以进行改进。 Portable Storage Device(可移动存储设 备),简称PSD设备

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第2章单片机的硬件结构和原理 2.1概述 2.2MCS-51单片机硬件结构 2.3中央处理器CPU 2.4存储器的结构 2.5并行输入输出接口 2.6单片机的引脚及其功能口 2.7单片机工作的基本时序

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硬薄膜往往具有较脆的特性，在过载时易发生脆性断裂.本文研究了硬薄膜/软基体在锥形纳米压头作用下的断裂模式.利用等离子体化学沉积法在聚二醚酮基体上沉积生成类金刚石薄膜.使用纳米压痕法对其进行实验研究，实时记录纳米压头压入样品过程中所受的载荷以及位移.载荷位移曲线中有若干间断点，代表着裂纹的形成和扩展.压痕实验完成后，通过扫描电子显微镜和聚焦离子束观察发现，类金刚石薄膜压痕处出现规则的贯穿厚度的环形裂纹和径向裂纹.最后，利用有限元法分析了硬薄膜/软基体在锥形压头作用下的应力分布，通过cohesive单元模拟环形裂纹的起始和扩展.结果表明：环形裂纹是由薄膜表面较高的径向拉应力引起的，较高的径向拉应力发生于压头和薄膜表面接触区域的外侧；径向裂纹则是由薄膜在界面附近较大的拉应力引起的.并且，各圈环形裂纹的半径基本呈线性递增，这和实验观测基本相符

TiC与TiN因晶格常数相近而可互溶生成碳氮化钛,其硬度介于TiC与TiN之间,而比TiN硬得多,涂于钢铁工件上可使寿命大为提高。本文叙述了不用CH4、CCl4而只用C5H5Cl+N2+H2+TiCl4体系沉积Ti(C、N)的工艺条件和淬火方法。模具经此法处理后表面硬度可达2400kg/mm2,使用保护气体强制冷却淬火不仅使硬度达到生产要求,还能解决工件在淬火中的变形与开裂问题。试验表明此法可提高模具寿命2到5倍

信号处理的实现方法 基本上分为两种方法,一种是软件实现方法,另一种是硬 件实现方法。软件实现方法指的是按照原理和算法,自己编写 程序或者采用现成的程序在通用计算机上实现。硬件实现指的 是按照具体的要求和算法,设计硬件结构图,用乘法器、加法 器、延时器、控制器、存储器以及输入输出接口部件实现的一 种方法。前者灵活,但速度慢,达不到实时处理要求;后者速 度快,但是不够灵活

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