6.1 概述 6.2 时序电路的分析方法 6.3 若干常用的时序逻辑电路 6.4 时序逻辑电路的设计方法 6.6用multisim分析时序逻辑电路

8.1 概述 8.2 现场可编程逻辑阵列 FPLA 8.3 PAL（Programmable Array Logic） 8.4 通用逻辑阵列 GAL 8.5 可擦除的可编程逻辑阵列EPLD 8.7 现场可编程门阵列FPGA 8.8 在系统可编程通用数字开关（ispGDS） 8.9 PLD的编程

4.1概述 4.3 若干常用组合逻辑电路 4.4 组合逻辑电路中的竞争-冒险现象 4.5 用multisim分析组合逻辑电路

1.1 概述 1. 2 几种常用的数制 1.3 不同数制间的转换 1.4 二进制运算 1.5 几种常用的编码

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器