点击切换搜索课件文库搜索结果(7762)
文档格式:DOC 文档大小:119KB 文档页数:8
-1 图 2-1 所示的电路中,US=1V,R1=1Ω,IS=2A.,电阻 R 消耗的功率为 2W。试求 R 的阻值。 2-2 试用支路电流法求图 2-2 所示网络中通过电阻 R3 支路的电流 I3 及理想电流源两端 的电压 U。图中 IS=2A,US=2V,R1=3Ω,R2=R3=2Ω。 2-3 试用叠加原理重解题 2-2. 2-4 再用戴维宁定理求题 2-2 中 I3
文档格式:PPT 文档大小:606.5KB 文档页数:56
1.1 电路和电路模型 1. 2 电路的基本物理量及相互关系 1.3 电阻、电容、电感元件及其特性 1. 4 电路中的独立电源 1. 5 基尔霍夫定律 1.6 电阻、电感、电容元件的识别与应用
文档格式:PPT 文档大小:558.5KB 文档页数:19
电阻中的带电微粒(自由电子)在一定温度下受到热 激发后,在导体内部作无规则的运动(热骚动)而相互 碰撞,两次碰撞之间行进时,就产生一持续时间很短的 脉冲电流。许多这样的随机热骚动的电子所产生的这种 脉冲电流的组合,就在电阻内部形成了无规律的电流。 在一足够长的时间内,其电流平均值等于零,而瞬时值 就在平均值的上下变动,称为起伏电流
文档格式:PDF 文档大小:714.15KB 文档页数:9
通过室内模拟试验装置,研究源于强制电流阴极保护系统的直流杂散电流对外部无阴极保护管道干扰的缓解方法,包括跨接电阻法、牺牲阳极法和金属屏蔽线法.文中主要考察跨接电阻、牺牲阳极位置和材质、金属屏蔽线位置和连接方式等对不同干扰类型的缓解效果和规律,讨论不同缓解方法的适用性,并对不同干扰类型提出推荐方法及适用条件,可为实际工程应用提供借鉴
文档格式:PDF 文档大小:8.68MB 文档页数:9
采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱、Mott-Schottky曲线等电化学方法研究了以308 L为焊丝的304 L不锈钢焊接接头在不同氯离子含量的混凝土模拟孔隙液中腐蚀行为和电化学规律.随Cl-增加,304 L不锈钢焊接接头的三个区域(母材、焊缝和热影响区)在混凝土模拟孔隙液中的自腐蚀电位、点蚀电位及电荷转移电阻降低,钝化膜中载流子密度和焊接接头的点蚀坑数量增加.在同浓度的腐蚀溶液中,308 L的焊缝区域耐蚀性最佳,热影响区次之,304 L基体表现出低的电荷转移电阻和高的掺杂浓度使得母材的耐蚀性最差
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:6
采用脉冲电镀法在黄铜表面制备出具有(111)、(200)和(220)晶面择优生长织构的纳米晶纯镍镀层.采用扫描电镜对镀层的显微形貌进行观察,采用X射线衍射对不同晶面织构的择优性进行表征,并对镀层在3.5%NaCl溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱进行了测试,研究不同织构镀层的耐蚀性能.不同织构镀层的耐蚀性能存在显著差异:具有(220)强织构的镀层耐蚀性最差,其自腐蚀电流密度最大,为1.23μA·cm-2,镀层的电荷转移电阻为2.09kΩ·cm2;具有(200)强织构的镀层耐蚀性能最佳,镀层的电荷转移电阻为27.32kΩ·cm2,自腐蚀电流密度为0.15μA·cm-2;具有(111)织构镀层的耐蚀性居中.认为织构引起的表面胞状物的差别是造成纯镍镀层耐蚀性能不同的原因
文档格式:PDF 文档大小:1.29MB 文档页数:7
采用光学金相技术结合交流阻抗测量,分析了三种低合金钢在模拟的沿海大气环境中的初期腐蚀行为.实验发现,显微组织直接决定钢的初期腐蚀行为并间接影响长期腐蚀行为.在腐蚀初期,铁素体钢中的大角晶界易于被择优腐蚀,而贝氏体内的小角晶界的择优腐蚀趋势较弱,铁素体+珠光体钢的择优腐蚀集中于珠光体及其边界.铁素体裸钢有较强的耐腐蚀性,但其锈层电阻随腐蚀时间增加产生的增量较小;贝氏体与铁素体+珠光体裸钢的耐腐蚀性较差,但其锈层电阻随腐蚀时间增加产生的增量较大,长期腐蚀性能更优.这些结果表明,在适当合金化后,贝氏体作为新型低成本高强度耐候钢的基本组织极具应用潜力
文档格式:PDF 文档大小:383.68KB 文档页数:4
采用电阻加热蒸发和感应加热蒸发法分别制备出超细镁粉,系统研究了充气压力对粉体产率和粒度的影响,采用XRD、TEM等分析手段对所制备的粉体结构进行表征.结果显示:感应加热蒸发法的产率远大于电阻加热蒸发法的产率;随充气压力提高,粉体产率降低,粉体平均粒径增大.所制备的超细镁粉为链球形结构、多晶态,纯度较高,粒度分布范围窄
文档格式:PDF 文档大小:485.65KB 文档页数:5
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体
文档格式:PDF 文档大小:900.64KB 文档页数:7
采用Cu-CuSO4-16%H2SO4浸泡实验、双环电化学动电位再活化(DL-EPR)法和动电位交流阻抗(DEIS)研究了不同热处理状态00Cr12Ti在0.1 mol·L-1 H2SO4+0.0001 mol·L-1 KSCN溶液中的电化学行为.结果表明:1000℃保温2 h的试样发生敏化,650℃保温2 h的试样不发生敏化.不同热处理状态主要影响合金的再活化过程,对合金的活化过程影响很小.在再活化过程中,对于1000℃保温2h试样,容抗弧显著减小而后逐渐增大,且低频区出现负阻抗,发生钝化膜的破裂和修复;而650℃保温2 h试样钝化膜相对稳定,没有发生钝化膜破裂和修复.发生晶间腐蚀后,1000℃保温2 h试样电荷转移电阻(Rct)明显小于650℃保温2 h试样的钝化膜电阻(Rp),这是由敏化试样发生局部腐蚀造成的
首页上页1617181920212223下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 7762 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有