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文库(379)
《电子技术基础(模拟部分)》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 信号产生电路
文档格式:PPT 文档大小:1.17MB 文档页数:34
9.1 正弦波振荡电路的振荡条件 9.2 RC正弦波振荡电路 9.3 LC正弦波振荡电路 9.4 非正弦波振荡电路 9.5 集成函数发生器8038简介
延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,课件讲稿)第五章 放大电路的频率响应
文档格式:PDF 文档大小:1.98MB 文档页数:45
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 功率放大电路
文档格式:PPT 文档大小:392.5KB 文档页数:19
9.1 功率放大电路概述 9.2 互补功率放大电路 9.3 功率放大电路的安全运行 9.4 集成功率放大电路
辽宁石油化工大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿,童诗白第三版)第五章 放大电路的频率响应
文档格式:PPT 文档大小:1.31MB 文档页数:59
5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿
安顺学院:《电子技术基础》课程PPT教学课件(模拟部分,第六版)第四章 场效应三极管及放大电路
文档格式:PPT 文档大小:6.98MB 文档页数:128
4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 放大电路的频率特性
文档格式:PPT 文档大小:610KB 文档页数:45
5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 5.7 频率响应与阶跃响应
宜宾职业技术学院:《电工电子技术基础》课程资源(PPT教学课件)第13章 基本放大电路 11.3 功率放大电路
文档格式:PPT 文档大小:600.5KB 文档页数:36
11.3.1 概述 11.3.2 变压器耦合功率放大电路 11.3.3 互补对称功率放大电路原理 11.3.4 无输出变压器(OTL)的互补对称功放电路 11.3.5 无输出电容(OCL)的互补对称功放电路 11.3.6 实际功放电路 11.3.7 集成功率放大器(教材12.8)
《电子技术基础》课程教学资源(课件讲稿)第五章 振荡电路 oscillator
文档格式:PDF 文档大小:2.42MB 文档页数:62
第一节 RC正弦波振荡器 一、自激振荡的基本原理 二、 RC串并联选频电路 三、文氏桥式RC振荡器 第二节 LC正弦波振荡器 二、电感三点式振荡器 一、变压器反馈式振荡器 三、电容三点式振荡器 第三节 石英晶体正弦波振荡器 三、串联型晶体振荡器 一、石英晶体的结构和电特性 二、并联型晶体振荡器 第四节 非正弦波振荡器 四、集成函数发生器 一、矩形波发生器 二、三角波发生器 三、锯齿波发生器
川北医学院:《模拟电子技术基础》课程电子教案(课件讲稿)06 模拟集成电路
文档格式:PDF 文档大小:2.31MB 文档页数:83
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 MOS模拟集成电路基础(4.3)MOS模拟集成电路基础
文档格式:PPT 文档大小:771.5KB 文档页数:13
与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多
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