◼ 9.1概述 ◼ 9.2密码学基础知识 ◼ 9.3数字签名 ◼ 9.4认证协议 ◼ 9.5网络安全协议 ◼ 9.6网络攻击与防护

◼ 9.1概述 ◼ 9.2密码学基础知识 ◼ 9.3数字签名 ◼ 9.4认证协议 ◼ 9.5网络安全协议 ◼ 9.6网络攻击与防护

第一章 数字逻辑基础 第三章 组合逻辑电路 第四章 触发器 第五章 时序逻辑电路 第六章 数字系统 第七章 可编程逻辑器件 PLD Programmable Logic Device

一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管

一、线性时不变系统的卷积 二、卷积码-----有记忆的码 三、卷积码的矩阵和多项式描述 四、卷积码的编码电路 五、卷积码的代数译码 六、卷积码的概率译码

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

8.1 OLED基础 8.2 OLED显示器的有源驱动技术 8.3 有机发光TFT 8.4 AMOLED像素补偿电路 8.5 AMOLED制造工艺技术

第1节 高分子材料基础 第2节 有机敏感材料的种类和特性 第3节 超薄分子敏感膜的制备技术 补充讲座1： 紫外-可见分光光度分析法基本原理 补充讲座2：高分子压电材料