回线误差是影响磁弹效应力传感器综合精度的一项重要误差。为了探索这类误差产生的原因,本文设计了3%Si-Fe冷轧Goss织构电工铜片单晶体拉应力试样。实验结果表明,随着样品工作区中单晶体的[100]方向与应力σ之间的夹角θ的变化,样品的回线误差不但有数值大小的变化,而且回线误差的类型也不同。一种是,当减载时,传感器的输出电压值高于加载到同一载荷时传感器的输出电压值,另一种则与此相反。本文分析了这类材料的传感器在工作状态下,单晶体内磁铸分布的变化过程,认为回线误差大小及类型随θ角的变化,是单晶体内晶体缺陷与铸壁相互作用的结果

报道了对含微量Nb、Ti、B的极低碳Si,Mn高洁净钢和成分相近的工业钢X60及XTE355的研究结果,并讨论了奥氏体形变对γ→α转变、转变组织及力学性能的影响.试样加热到1200℃均匀化处理后,快速冷却到奥氏体的非再结晶温度区变形70%再经500℃中温等温处理,能够获得微米甚至亚微米级的细化组织.纯净钢和工业钢的平均晶粒尺寸都在3μm以下,780℃变形的X60试样得到了最小的平均晶粒尺寸:X方向为0.99μm,Y方向为1.02μm.显著的晶粒细化效果是由于形变奥氏体的晶界面积大幅度增加以及变形带和其他晶体缺陷提供了大量的有利形核地点,使γ→α转变时α相的形核率提高的结果

《材料学》课程PPT教学课件（晶体缺陷）实际晶体中的位错

第一节 扩散定律及其应用 THE LAW OF DIFFUSION AND ITS APPLICATION 菲克第一定律(稳态扩散) 菲克第二定律(非稳态扩散 ) 第二节 扩散的微观机制 THE MICRO-MECHANISM OF DIFFUSION 扩散的主要机制 扩散系数 扩散激活能 第三节 扩散的热力学分析及反应扩散 扩散的驱动力 反应扩散 第四节 影响扩散的因素 FACTORS AFFECTING THE DIFFUSION 温度的影响 晶体结构的影响 固溶体类型 晶体缺陷的影响 化学成分 应力 第五节 离子晶体中的扩散 本征热缺陷 扩散机制 扩散特点 电导率与扩散系数的关系 第六节 高分子的分子运动 分子链运动的起因及其柔顺性 分子的运动方式及其结构影响因素 高分子不同力学状态的分子运动解说

海南大学：《材料科学基础》课程教学资源（PPT课件）Chapter 晶体缺陷 3 1 点缺陷、位错

第一、二章 晶体与晶体缺陷 第三章 熔体与玻璃体 第四章 表面与界面 第五章 热力学计算

§1 热缺陷 §2 固溶体 §3 非化学计量化合物 §4 位错

2.1 晶体结构和晶体的性质 2.1.1 晶体特征 2.1.2 晶体点群和晶体的物理性质 2.2 非整比化合物材料 2.2.1 晶体缺陷与非整比化合物 2.2.2 非正比化合物材料及其应用 2.3 液晶材料 2.3.1 液晶的起源 2.3.2 液晶的特性 2.3.3 高分子液晶及其分类 2.3.4 高分子液晶的分子结构特征 2.3.4 液晶显示技术 2.4 亚稳态材料 2.4.1 纳米晶材料 2.4.2 晶态材料与非晶态材料 2.4.3 准晶态材料 2.5.玻璃 2.6 陶瓷

4.1.1 点缺陷的类型 4.1.2 点缺陷的浓度 4.1.3 点缺陷对材料性能的影响

《材料科学基础》课程教学资源（PPT课件）第4章 晶体缺陷 Crystal defects 4.3 面缺陷（Surface defects）4.3.1 晶体表面 4.3.2 晶界结构与能量