第七章晶体缺陷 第一章所述的晶体结构是理想晶体的结构,但是在实际应用的金属中,总是 不可避免地存在着不完整性,即原子的排列都不是完美无缺的。实际金属中原子 排列的不完整性称为晶体缺陷。按照晶体缺陷的几何形态特征,可以将其分为以 下三类:

按照点阵结构理论，晶体的主要特征是其结构基元作周期性的排列，但实际晶体中 的原子或离子总是或多或少地偏离了严格的晶体周期性，因而出现了各种各样的结构缺 陷，并对晶体的各种物理性质产生的重要影响。根据晶体缺陷在空间延伸的线度晶体缺 陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。本章主要讲述晶体缺陷的典型形式以及对 晶体性质的主要影响

按照点阵结构理论,晶体的主要特征是其结构基元作周期性的排列,但实际晶体中 的原子或离子总是或多或少地偏离了严格的晶体周期性,因而出现了各种各样的结构缺 陷,并对晶体的各种物理性质产生的重要影响。根据晶体缺陷在空间延伸的线度晶体缺 陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。本章主要讲述晶体缺陷的典型形式以及对 晶体性质的主要影响

1.1.2 晶胞 1.1.3 点阵几何元素的表示 1.1.4 晶体缺陷 Crystal Defects 1.1.1 晶体结构的周期性与点阵 1.1.2 晶体结构参数 1.1.3 实际晶体 1.1.4 晶体缺陷 Crystal Defects

《材料科学基础》课程教学资源（PPT课件）第4章 晶体缺陷 Crystal defects 4.2 线缺陷（Line defects）4.2.5 位错与晶体缺陷间的交互作用 4.2.6 位错的增殖与塞积 4.2.7 实际晶体中的位错

1.1.3 点阵几何元素的表示 1.1.4 晶体缺陷 1.1.4.1 点缺陷 1.1.4.2 线缺陷和位错 1.1.4.3 面缺陷 1.1.4.4 体缺陷 1.1 结构缺陷的分类 1.1.4.1.1 热缺陷 1.1.4.1.2 杂质缺陷 1.1.4.1.3点缺陷的表示方法 1.1.4.1.4 缺陷反应方程式简介 1.1.4.1.5 点缺陷对材料性能的影响 1.1.4.2.2 螺旋位错 1.1.4.2.3 混合位错 1.1.4.2.4 位错的运动 1.1.4.3 Planar Defect平面位错

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

摩擦过程:是一个物体施载于另一物体的相对运动过程。受力物体必然发生变形。摩擦产生的热量使摩擦表面温度升高。力和热共同作用,使摩擦表面发生一系列变化。主要是: (1)表面几何形状的变化 (2)表层晶体缺陷及组织结构的变化 (3)表面膜的变化

西安电子科技大学：《固体物理》课程教学资源（PPT课件讲稿）第五章 晶体缺陷 §5-4 晶体中的扩散

4.1 引言 4.2 点缺陷（point defect） 4.3 线缺陷（line defect） 4.4 位错特性及测定法（dislocation characteristic） 4.5 面缺陷（face defect） 4.6 体缺陷（body defect）