一、 预科实验 实验一 测定冰的熔化热 实验二 电学实验基本知识和测量非线性元件的伏安特性 实验三 示波器的使用 实验四 测量薄透镜的焦距 实验五 显微镜 二、 基础实验-I 实验六 测量误差和不确定度 实验七 测定金属的杨氏模量 实验八 刚体转动实验 实验九 气轨上弹簧振子的简谐振动 实验十 扭摆的受迫振动 实验十一 复摆实验 实验十二 测定媒质中的声速 实验十三 弦上驻波实验 实验十四 直流电桥测量电阻 实验十五 用非平衡测量铂电阻的温度系数 实验十六 霍尔效应测量磁场 实验十七 LCR的谐振现象 实验十八 弗兰克-赫兹实验 实验十九 虚拟仪器基础-LabVIEW入门 实验二十 分光计的调节和用掠入射法测折射率 实验二十一 光衍射的定量研究 实验二十二 观察光的偏振现象 实验二十三 迈克耳孙干涉仪 三、 基础实验-II 实验二十四 高温超导材料特性测试和低温温度计 实验二十五 闪光法测定不良导体的热导率 实验二十六 动态法测定良导体的热导率 实验二十七 真空镀膜实验 实验二十八 交流电桥 实验二十九 RLC串联电路的暂态过程 实验三十 磁滞回线的测量 实验三十一 光栅特性及测定光波波长 实验三十二 偏振光的定量研究 实验三十三 全息照相 实验三十四 阿贝成像原理和空间滤波 实验三十五 光源的时间相干性 实验三十六 光栅光谱仪的校准和使用 实验三十七 光学多道分析器（OMA）研究氢原子光谱 实验三十八 微波的布拉格衍射 实验三十九 X射线衍射 实验四十 共振法测定杨氏模量及其与温度的关系

电学实验操作规程 电磁学实验的常用仪器和器件 实验一 电表的改装和校准 实验二 电位差计的原理和使用 实验三 示波器的原理和使用 实验四 模拟静电场 实验五 交流电路的谐振现象 实验六 用冲击电流计测定螺线管磁场 实验七 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 实验八 RLC 串联电路的稳态过程 实验九 RLC 串联电路的暂态过程 实验十 交流电路功率的测量和功率因数的提高 实验十一 密立根油滴实验 实验十二 周期函数的傅里叶分析 实验十三 磁阻效应及磁阻传感器 实验十四 霍尔效应 实验十五 直流、交流电桥 实验十六 电子和场实验 实验十七 巨磁电阻效应及应用 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 三 用电位差计测定表头参数 四 用示波器作为零示器设计交流电桥

电学实验操作规程 . . . . . . . . . . . . . .1 电磁学实验的常用仪器和器件 . . . . . . . . . . . .2 实验一 电表的改装和校准 . . . . . . . . . . . .7 实验二 电位差计的原理和使用 . . . . . . . .13 实验三 示波器的原理和使用 . . . . . . . .19 实验四 模拟静电场 . . . . . . . . . . . .29 实验五 交流电路的谐振现象 . . . . . . . . . .35 实验六 灵敏电流计的研究 . . . . . . . . . .41 实验七 用冲击电流计测定螺线管磁场 . . . . . . . .48 实验八 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 . . . . .53 实验九 RLC 串联电路的稳态过程 . . . . . . . . . . .58 实验十 RLC 串联电路的暂态过程. . . . . . . . . . . 61 实验十一 交流电路功率的测量和功率因数的提高 . . . . . . .66 实验十二 密立根油滴实验 . . . . . . . . . . . . . 72 实验十三 周期函数的傅里叶分析 . . . . . . . . . . 79 实验十四 液体电导率测量实验 . . . . . . . . . . . 82 实验十五 磁阻效应及磁阻传感器 . . . . . . . . . . .89 实验十六 霍尔效应 . . . . . . . . . . . . . . .93 实验十七 直流、交流电桥 . . . . . . . . . . . . . 98 实验十八 电子和场实验 . . . . . . . . . . . . . 108 实验十九 巨磁电阻效应及应用 . . . . . . . . . . . 116 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 . . . . . . . . . .132 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 . . . . . .133 三 用电位差计测定表头参数 . . . . . . . . . .134 四 用示波器作为零示器设计交流电桥 . . . . . . . .135

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域